超小型μPower,低抖动,1Hz至2.5MHz的TCXO

SiTime公司的MEMS TempFlat™技术和混合信号设计专业知识,使第一μPowerTCXO在1.2平方毫米芯片级封装 - 世界上最小的足迹。典型的核心电源电流仅为6.0μA在100千赫。不像标准振荡器,所述SiT1576超级-TCXO的出厂可编程1Hz和2.5兆赫之间。这种独特的,超小型TCXO使得其宽的频率范围内的新架构选项。的SiT1576是工厂校准在多个温度点,以保证极紧的频率稳定度低至±5ppm的(初始和过温)。

视频演示:将SiT15xx TCXO置于温度箱中,以每秒4度的快速斜坡速率将温度从< -40℃增加到+85℃。

世界上最小的TCXO在微小的1508芯片规模的封装,低抖动,只消耗1.2平方毫米的电路板空间
振荡器类型 赫兹到MHz TCXO
频率 1赫兹到2.5兆赫
频率稳定度(ppm) ±5,±20
输出类型 LVCMOS
工作温度范围(℃) -20到+70 -40到+85
电源电压(V) 1.62到3.63
²包类型(毫米) 1.5 x0.8
特征 低抖动
可用性 生产

工厂可编程频率:1hz到2.5 MHz

  • 优化了低能耗的建筑替代品

超低功率:4.5μA(典型值)在33千赫,6.0μA在100kHz(典型值)。

  • 最大化电池寿命

体积最小的芯片级(CSP):1.5×0.8毫米

  • 节省电路板空间

±5ppm的全包的频率稳定

  • 改进当地报时和改善系统功率与联播报时更新与移动和可穿戴设备较小的依赖性

内部VDD供应过滤

  • 无需外部VDD旁路电容,以保持超小尺寸

  • 智能电表(AMR)
  • 卫生和健康监测
  • 模拟前端(AFE)基准时钟
  • 工业传感器
  • 医疗电子产品
  • 远程感测
  • 手机附件
  • 眼镜

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资源名称 类型
SiTime的MEMS首先工艺