MHz振荡器

景次可致提供的MEMS MHz器件产品综合，包括单位滤波器，分支器，车辆传播器，扩频料器和VCXO。周期，解决诸如emi等独问题而设计。

类别

LVPECL / LVDS / HCSL仪器 LVCMOS振荡器 车载与高温振荡器 扩频扩频器 电压控制振荡器 I2C / SPI振荡器 数量vcxo.

LVPECL / LVDS / HCSL仪器

sit可为网络、服务器、存储和电信应用提供广泛的高性能差分振荡器产品组合。当处于冲击、震动、高噪声电源和EMI.等常见的恶劣环境中时，SiT91xx和sit93xx.系列能提供业界最佳的抖动性能和电源噪声抑制(PSNR)功能。

  • 以1Hz.为销量提供从1MHz.到725MHz.不错的任意频率
  • 以融合业务标准的小外衣套装提供0.23到0.6 ps的运动（典型值）
  • 提供业界最佳的±10ppm.的动态精度
器材 产品说明书 频率 精选(PPM) 输出类型 供电电压（v） 温度范围（°C） 包装尺寸（mm.2）
SiT9120 31标准频率 ±10±2025±±50 LVPECLlvds. 2.53.32.25至3.63 -20 + 70-40到+85 3.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT9121 1至220兆赫 ±10±2025±±50 LVPECLlvds. 2.53.32.25至3.63 -20 + 70-40到+85 3.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT9122 220到625兆赫 ±10±2025±±50 LVPECLlvds. 2.53.32.25至3.63 -20 + 70-40到+85 3.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT9365 32标准频率 ±10±2025±±50 LVPECLlvds.HCSL. 2.52.83.3.3 -20 + 70-40到+85-40到+105 3.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT9366 1至220兆赫 ±10±2025±±50 LVPECLlvds.HCSL. 2.52.83.3.3 -20 + 70-40到+85-40到+105 3.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT9367 220到725 MHz ±10±2025±±50 LVPECLlvds.HCSL. 2.52.83.3.3 -20 + 70-40到+85-40到+105 3.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SIT9501. 14个标准频率 ±2025±±30±50 LVPECLlvds.HCSL.低功耗HCSLflexswing. 1.82.52.83.31.71至3.632.25至3.63 -20 + 70-40到+85-40到+95-40到+105 2.0x1.62.5x2.03.2x2.5
SiT9375 31标准频率 ±2025±±30±50 LVPECLlvds.HCSL.低功耗HCSLflexswing. 1.82.53.31.71至3.632.25至3.63 -20 + 70-40到+85-40到+95-40到+105 2.0 x 1.62.5 x 2.03.2 x 2.5

重要资源

AN10029差分振荡器的输出端接

LVCMOS振荡器

景地可为用消费类电子，工业序，物联网和网络应用提供广泛的LVCMOS振荡器产品组合。这些器件不仅尺寸小而且功耗低，此外，还能以多种封装供货。

  • 1至220兆赫时，精灵精神到小数后六位
  • 低至60µ的最低功耗
  • 提供业界最佳的±10ppm.的频率精锐
  • 最小封装（1508）以及结合业主标准的包装（2016年那2520.那3225.那5032和7050）
  • SOT23-5-Leaded包装实现最可制造性
  • 用于降低EMI.的FlexEdge™压摆率选项：0.25 ns到40ns.的可配置上游/下降时间
器材 产品说明书 频率 精选(PPM) 输出类型 供电电压（v） 温度范围（°C） 包装尺寸（mm.2）
SiT1602 52标准频率 ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.31.8至3.3(抽样) -20 + 70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SIT2001. 1到110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -20 + 70-40到+85 SOT23（2.9x2.8）
SIT2002 115到137 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -20 + 70-40到+85 SOT23（2.9x2.8）
SiT8008 1到110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.31.8至3.3(抽样) -20 + 70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT8009 115到137 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.31.8至3.3(抽样) -20 + 70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT8208 1到80 MHz ±10±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -20 + 70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT8209 80至220兆赫 ±10±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -20 + 70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0

重要资源

AN10002用于单端振荡器的终止建议，驱动单个或多个负载 AN10022 SIT8103，SIT8003和SIT9003的上升和下降时间选择

车载与高温振荡器

SiTime的车载(AEC-Q100)与高温振荡器在-55°C至125°C的温度范围内可提供±20 ppm的频率稳定性。与石英振荡器相比，其精度高出 2 倍，可靠性高出 20 倍，抗冲击与耐振动能力高 30 倍。

  • 1至137MHz并且精密精选到小数后后位
  • -55至125°C的军规温度,-40至125°C的车规温度,-40至105°C的更广泛工规温度
  • 低至0.1磅/ g的振动敏感性(g敏感性)
  • 耐50,000g冲击和70g驾驶
  • 5亿小时平等故障间时间（MTBF）
器材 产品说明书 频率 精选(PPM) 输出类型 供电电压（v） 温度范围（°C） 包装尺寸（mm.2）
SIT2018 1到110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40到+105-40到+125 SOT23（2.9x2.8）
SIT2019 115到137 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40到+105-40到+125 SOT23（2.9x2.8）
SIT2020 1到110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -55 + 125 SOT23（2.9x2.8）
SIT2021. 119至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -55 + 125 SOT23（2.9x2.8）
SIT2024 1到110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40到85（3年级）-40到105（2年级）-40到125（1年级）-55到125（ext。冷级1） SOT23（2.9x2.8）
SIT2025 115到137 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40到85（3年级）-40到105（2年级）-40到125（1年级）-55到125（ext。冷级1） SOT23（2.9x2.8）
SIT8918 1到110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40到+105-40到+125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SIT8919 115到137 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40到+105-40到+125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SIT8920 1到110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SIT8921. 119至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SIT8924. 1到110 MHz ±2025±±30±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40到+85-40到+105-40到+125-55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SIT8925 115到137 MHz ±2025±±30±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40到+85-40到+105-40到+125-55 + 125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SIT9386. 1至220兆赫 25±±50 LVPECLlvds.HCSL. 2.52.83.03.3 -40到85（3年级）-40到105（2年级） 3.2x2.57.0 x5.0
SIT9387. 220到725 MHz 25±±50 LVPECLlvds.HCSL. 2.52.83.03.3 -40到85（3年级）-40到105（2年级） 3.2x2.57.0 x5.0
SIT9025 1到150 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40到85（3年级）-40到105（2年级）-40到125（1年级）-55到125（ext。冷级1） 2.0x1.6 mm.2.5 x2.0毫米3.2x2.5 mm.

重要资源

用超强稳健的MEMS振荡器提高汽车可靠性和性能 ADAS，相机模块和车载以太网的AEC-Q100汽车振荡器 ADAS，相机模块和车载以太网的AEC-Q100汽车振荡器

扩频扩频器

Silime用药降低EMI的频道可通讯当时和时尚信号的上级/下面时代调整来确保满足辐射。此此仪器由景气的时间机II。辐射水平，进而进而确保通讯合并认证。

  • 基频高达17 db,谐波高达30分贝
  • 宽泛的扩展范围：高达4％的峰至峰
  • 提供FlexEdge™可配置上升下降时间选项:0.25 ns到40 ns的压摆率
器材 产品说明书 频率 精选(PPM) 输出类型 供电电压（v） 温度范围（°C） 包装尺寸（mm.2）
SiT9002 1至220兆赫 25±±50 LVPECLlvds.CML.HCML. 1.82.53.3 -20 + 70-40到+85 5.0x3.2.7.0 x5.0
SiT9003 1到110 MHz ±50±100. LVCMOS 1.82.52.83.3 -20 + 70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT9005 1到141 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -20 + 70-40到+85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.5

重要资源

AN10005扩频时钟振荡器 AN10022 SIT8103，SIT8003和SIT9003的上升和下降时间选择

电压控制振荡器

SiTime的MEMS VCXO可为视频分配（CMTS），网络，电信及仪器应用提供优异的动态性能与业界最高的可靠性。这些器件经过精心设计，可在面临冲击，震动，电源噪声高以及EMI等常见环境问题时，性及最优的传输。

  • 以1Hz步进提供从1MHz到725MHz不成文
  • 在整个整个温度范围（-40到+85°C）提供业主最佳的±15 ppm的动态精致
  • 0.02 ps / mV的电源噪声抑制(PSNR)水平,降低供电要求
  • 比石比石优异50倍的最（0.1％）和最宽（±25°±3200ppm）拉动式线路
器材 产品说明书 频率 精选(PPM) 输出类型 供电电压（v） 温度范围（°C） 包装尺寸（mm.2）
SIT3372. 1至220兆赫 ±1525±±30±50 LVPECLlvds.HCSL. 2.52.83.03.3 -20 + 70-40到+85-40到+105 3.2x2.57.0 x5.05.0x3.2.
SIT3373. 220到725 MHz ±1525±±30±50 LVPECLlvds.HCSL. 2.52.83.03.3 -20 + 70-40到+85-40到+105 3.2x2.57.0 x5.05.0x3.2.
SiT3807 31频率 25±±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20 + 70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT3808 1到80 MHz 25±±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20 + 70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT3809 80至220兆赫 25±±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20 + 70-40到+85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0

重要资源

AN10020 VCXO规范的定义 AN10021 VCXO参数PLL设计权衡

I2C / SPI振荡器

SiTime的Elite Platform™I2C/SPI振荡器允许用户使用数字接口编程输出频率和系统内拉频，为设计者提供了极大的灵活性。该系列产品提供超低抖动，并利用SiTime独特的DualMEMS温度传感和涡轮补偿技术来提供卓越的动态性能。

  • 适用于在支持多个频率的系统中更换多个定时组件，例如电信，网络，服务器，存储，广播，测试和测量设备等多种频率必威体育官网手机登录
  • 任意频率模式的编程输出频率通过I2C或SPI从1 MHz到725 MHz
  • 数字控制振荡器（DCO）模式用于通过I2C或SPI拉动/调谐频率，具有0.005PPb分辨率的I2C或SPI
  • 频率(1 MHz至725mhz)、电压(2.5 V至3.3 V)、拉距(±25ppm至±3200ppm)和三种DE输出格式(LVPECL、LVDS或HCSL)的任意组合
  • 0.2 ps典型的集成相位抖动
器材 产品说明书 频率 精选(PPM) 输出类型 供电电压（v） 温度范围（°C） 包装尺寸（mm.2）
SiT3521 1至340兆赫 ±2025±±50 LVPECLlvds.HCSL. 2.5到3.3 -20 + 70-40到+85-40到+105 5.0 x 3.2 10针
SiT3522 340到725 MHz ±2025±±50 LVPECLlvds.HCSL. 2.5到3.3 -20 + 70-40到+85-40到+105 5.0 x 3.2 10针

重要资源

AN10050 I2C / SPI可编程振荡器

数量vcxo.

sit的数码MEMS.振荡器（DCXO）能帮助用户通过单线数字接口对输出频率进行微调，牵引范围高达±1600 ppm，从而无需在传统的VCXO设计中使用外部DAC。此外，其还可消除在电压控制线路上由电路板噪声引起的频移。

  • 业主最宽泛的拉动范围选项，包括25±那±50那±100.那±150.那±200那±400那±800.及±1600 ppm
  • 1ppb.的拉动范围分辨率
  • 任意结合的频率（高达625MHz.）、电压（1.8 v那2.5 v至3.3 v）、拉动范围（±25ppm至±1600 ppm）以及业界标准封装（3225.那5032或7050）
  • LVCMOS输出（SiT3907）与差动输出（SiT3921和SiT3922）
器材 产品说明书 频率 精选(PPM) 输出类型 供电电压（v） 温度范围（°C） 包装尺寸（mm.2）
SiT3907 1至220兆赫 ±1025±±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20 + 70-40到+85 3.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT3921 1至220兆赫 ±1025±±50 LVPECLlvds. 2.53.3 -20 + 70-40到+85 3.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0
SiT3922 220到625兆赫 ±1025±±50 LVPECLlvds. 2.53.3 -20 + 70-40到+85 3.2x2.55.0x3.2.7.0 x5.0

重要资源

AN10041与SiT39xx系列DCXOs(数控振荡器)一起设计