1赫兹到26MHz µPower振荡器

SiT1569 1.2平方毫米表面金属加工（SMD）的估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计，估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计估计第二，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三，第三

• 从1赫兹到462.5kHz的工厂可编程特性
• 振荡器输出可驱动多个负载，且无需采用XTAL公司
• 不足±10 ppm的频率容差
• 超低功耗：不足1微安
• 采用1.2mm2 (1.5 x 0.8 mm) CSP的业界最小尺寸

SiTime的SiT1576和SiT1579属于超小型的µPower低频率基准源，能为空间和功耗要求严格的可穿戴、移动和IoT应用提供最新的架构选项。

• 业界小寸：1.2 mm2（1.5 x 0.8 mm）CSP
• 振荡输可驱动多个负载、同时无需采
• 超低功耗：100kHz时尲尲2.5到5.5μA
• ±5 ppm全覆盖频率稳定性（SiT1576）超级TCXO
• ±50 ppm稳定性SiT1579型）振荡器精度

在不同的时间点上，对不同的功率MEMS进行了研究，得出了不同的功率MEMS的功率MEMS的功率和功率MEMS的功率和功率MEMS的功率和功率MEMS的功率，在不同的功率MEMS的功率和功率的MEMS的功率，进行了分析，在不同的地区，进行了比较，分析了各种不同的功率MEMS的功率，在不同的地区，进行了比较分析研究，从31354年的道路上，从从386044，在不同的地区，进行了分分分，从从从从从从不同的角度来看，在90%90%，90%90%的占90%的90%，从从54 54 54 54分分占80%的80%。80%的80%。在80%80%的80%的80%的80%。在进行了9292；在不同的市场，进行进行进行了研究，在不同的人员进行进行进行了研究，从从从从从不同的主要主要主要的道路上，从从从从从从不同的角度进行进行进行进行支持石英不可支持低频率