1到60mhz,地层3超级tcxo

SiT5356是一个±100ppb精度的MEMS Super-TCXO。这个装置是为最佳动态性能而设计的。它完全符合GR-1244地层3振荡器的规范。通过利用SiTime独特的DualMEMS™温度传感和涡轮补偿技术,SiT5356在气流、温度扰动、振动、冲击和电磁干扰(EMI)等环境压力因素存在时能够提供最稳定的定时。

SIT5356可以进行工厂编程到频率,稳定性,电压和拉伸范围的任何组合。该可编程性使设计人员能够优化时钟配置,同时消除与Quartz TCXO相关联的长时间的时间和定制成本,其中每个频率是自定义的。

程序振荡器,以获得即时样本,优化的性能,和快速原型|了解更多

观察Elite Super-TCXO与50 ppb石英TCXO在气流、温度、抽头试验和VDD波动条件下的动态性能

6个工业标准脚印小到5.0 x 3.2毫米
振荡器类型 TCXO-SE
频率 1至60mhz
频率稳定度(ppm) ±0.1±0.2±0.25
相位抖动(rms) 0.31 ps
输出类型 LVCMOS,剪sinewave
工作温度范围(℃) -20到+70 -40到+85 -40到+105
拉力范围(ppm) ±12.5±6.25±10日,±25±50,±80±100±125±150±200±400±600±800±1600±3200
供电电压(V) 2.5 2.8 3 3.3
²包类型(毫米) 5.0 x 3.2 10针
特性 精密TCXO
可用性 生产

在气流作用下,快速稳定的动态稳定性

  • ±100磅的温度过高。稳定
  • 3e-11 ADEV在10秒平均时间
  • ±2.5磅/°C频率斜率(ΔF /ΔT), 10°C / min坡道
    • 确保恶劣环境下电信和网络设备的系统级服务质量

振动状态下更好的相位噪声20倍

  • 在高振动环境下,将呼叫和/或链路下降最小化

没有活动下降或微跳

  • 不需要昂贵的筛选或老化测试

0.2 ps/mV电源噪声抑制(PSNR)

  • 通过消除TCXO专用的LDO来减少BOM

LVCMOS或压缩正弦波输出

  • 优化EMI和抖动之间的最佳平衡

丰富的可编程特性

  • 1到60mhz之间的任何频率
  • 2.25到3.63 V
  • 从±6.25到±3200ppm的大拉力范围
    • 定制TCXO规范以获得最佳系统性能

数字调频通过I2C

  • 消除由电路板噪声引起的频移

优越的可靠性

  • 10亿小时MTBF
  • 终身保修:减少维修成本和现场故障由于时钟组件

  • SONET / SDH层3
  • 同步以太网(G.8262,选项1和2)
  • 小细胞
  • IEEE 1588边界时钟和大师
  • 光传输(OTN、OLT等)
  • 电缆型号终端系统(CMTS)
  • COSPAS - SARSAT
  • 宽带卫星
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狭窄:

资源名称 类型
SiTime MEMS第一工艺