1到60mhz,地层3超级tcxo
SiT5356是一个±100ppb精度的MEMS Super-TCXO。这个装置是为最佳动态性能而设计的。它完全符合GR-1244地层3振荡器的规范。通过利用SiTime独特的DualMEMS™温度传感和涡轮补偿技术,SiT5356在气流、温度扰动、振动、冲击和电磁干扰(EMI)等环境压力因素存在时能够提供最稳定的定时。
SIT5356可以进行工厂编程到频率,稳定性,电压和拉伸范围的任何组合。该可编程性使设计人员能够优化时钟配置,同时消除与Quartz TCXO相关联的长时间的时间和定制成本,其中每个频率是自定义的。
程序振荡器,以获得即时样本,优化的性能,和快速原型|了解更多
振荡器类型 | TCXO-SE |
频率 | 1至60mhz |
频率稳定度(ppm) | ±0.1±0.2±0.25 |
相位抖动(rms) | 0.31 ps |
输出类型 | LVCMOS,剪sinewave |
工作温度范围(℃) | -20到+70 -40到+85 -40到+105 |
拉力范围(ppm) | ±12.5±6.25±10日,±25±50,±80±100±125±150±200±400±600±800±1600±3200 |
供电电压(V) | 2.5 2.8 3 3.3 |
²包类型(毫米) | 5.0 x 3.2 10针 |
特性 | 精密TCXO |
可用性 | 生产 |
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6个工业标准脚印小到5.0 x 3.2毫米
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SiT5356销作业
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SiT5356框图
在气流作用下,快速稳定的动态稳定性
- ±100磅的温度过高。稳定
- 3e-11 ADEV在10秒平均时间
- ±2.5磅/°C频率斜率(ΔF /ΔT), 10°C / min坡道
- 确保恶劣环境下电信和网络设备的系统级服务质量
振动状态下更好的相位噪声20倍
- 在高振动环境下,将呼叫和/或链路下降最小化
没有活动下降或微跳
- 不需要昂贵的筛选或老化测试
0.2 ps/mV电源噪声抑制(PSNR)
通过消除TCXO专用的LDO来减少BOM
LVCMOS或压缩正弦波输出
- 优化EMI和抖动之间的最佳平衡
丰富的可编程特性
- 1到60mhz之间的任何频率
- 2.25到3.63 V
- 从±6.25到±3200ppm的大拉力范围
- 定制TCXO规范以获得最佳系统性能
数字调频通过I2C
- 消除由电路板噪声引起的频移
优越的可靠性
- 10亿小时MTBF
- 终身保修:减少维修成本和现场故障由于时钟组件
- SONET / SDH层3
- 同步以太网(G.8262,选项1和2)
- 小细胞
- IEEE 1588边界时钟和大师
- 光传输(OTN、OLT等)
- 电缆型号终端系统(CMTS)
- COSPAS - SARSAT
- 宽带卫星
- 仪表
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资源名称 | 类型 |
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SiTime MEMS第一工艺 |