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SiTime的のMEMS発振器は，プログラマブル可能な発振器ICにMEMS振动子を组み合わせた构造になっています。この2つの模具は，ワイヤボンディングやフリップチップ実装で封止され，业界标准のプラスチックパッケージや，CSP（芯片级封装）にパッケージングされています。 |
MEMS振荡器架构与TempFlat技术
上记ブロック図を参照ください.MEMS振动子はMEMS専用回路ブロックに配置され，静电界励起力で駆动されます.MEMS振动子とMEMS専用回路が电気的に相互接続されることで，発振维持回路が动作し，MEMS振动子を机械的に振动させます。出力周波数はアナログ発振回路の「N分频PLL」によって実现します。制品システムのEMIを减らすために，ほとんどのSiTime的発振器はインピーダンス特性を考虑して，出力ドライブ强度を调整することが可能です。そのパラメータ设定は，アナログ発振器のダイにある「OTP（一次性可编程）メモリ」に保存されます。
TempFlat™MEMSテクノロジーが采用されているSiT15xx 32kHz的発振器ファミリーは，温度特性が良いため补正回路の必要性が低く，温度补正回路を削除可能です。そのため，アナログICの设计はシンプルになり，制品の小型化だけでなく，低消费电力化が実现できます。一方，25ppm的以下の精度が必要なアプリケーション向けに开発された超高性能XO，差动XO，VCXO，TCXOでは温度补正を行う必要があるため，「分数N PLL」で动作する温度センサーと温度用デジタルコンバーターを使っています。
MEMS振荡器架构具有温度补偿