sit1618ba - 13 - 33 - e - 27.000000gydF4y2Ba

数据表gydF4y2Ba
五个行业标准的足迹小2016对所有频率,电压,和稳定性gydF4y2Ba

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设备类型gydF4y2Ba 汽车&高临时振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
27 MHzgydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
50gydF4y2Ba
操作温度范围(°C)。gydF4y2Ba
-40年到125年gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
包大小(毫米x毫米)gydF4y2Ba
2.5 x2.0gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
0.75gydF4y2Ba
输出驱动力量*gydF4y2Ba
默认的gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
允许输出gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
DC-Coupled输出卷或交流gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

有关详细信息,请参阅数据表gydF4y2Ba

现在购买gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba
D = 3000 ctgydF4y2Ba
E = 1000gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba
  • 五个行业标准的足迹小2016对所有频率,电压,和稳定性gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    五个行业标准的足迹小2016对所有频率,电压,和稳定性gydF4y2Ba

  • SiT1618销作业1可编程销,可以设置为允许输出,备用,或没有连接到优化能耗gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    SiT1618销作业1可编程销,可以设置为允许输出,备用,或没有连接到优化能耗gydF4y2Ba

  • 可配置FlexEdge驱动强度降低EMI通过减缓上升/下降时间——例如11钟谐波减少35 dB通过增加上升/下降边缘从5%降至45%gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

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在汽车临时±20 ppm。(-40到125°C)gydF4y2Ba

  • 更好的时机融资融券适合户外高温操作环境gydF4y2Ba

可配置的特性集gydF4y2Ba

  • 33标准频率之间7.3728 MHz 48 MHzgydF4y2Ba
  • 1.8 V和2.5 V至3.3 V电源电压:gydF4y2Ba
  • 定制规范优化系统性能gydF4y2Ba
  • 使用相同的基础设备对许多设计减少资格的需要gydF4y2Ba

十亿分之0.1 / g g-sensitivity低gydF4y2Ba

  • 改善系统性能在振动gydF4y2Ba
  • 载体落下试验合规(机顶盒等)。gydF4y2Ba

70年gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 最好的系统可靠性在严酷的环境下gydF4y2Ba
  • 更少的产品失败gydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力量gydF4y2Ba

  • 缓慢上升/下降时间最小化EMI的振荡器gydF4y2Ba
  • 降低成本通过驱动多个负载和消除额外的时间组件gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%的替代石英晶体振荡器gydF4y2Ba

超快的交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4 l-qfn包成分报告(SiT160X、SiT800X SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
生产笔记SiTime产品gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime保修日期代码gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015登记证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4 l-qfn包资格报告——凸版印刷gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4 l-qfn包资格,ASE报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4 l-qfn包资格报告——先进gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX SiT89XX高临时产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4 l / 6 l-qfn包均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环保合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Compliance-EU RoHS证书声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

Eval董事会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba-保持健康/平均无故障时间数据的各种操作条件gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba——项目的频率,电压,稳定&更多gydF4y2Ba

频率斜率(dF / dT)计算器gydF4y2Ba——计算频率斜率温度gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba——与QFN预览包gydF4y2Ba3 d步模型gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT1618 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT1618 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS诗句石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器增强时钟性能在工业和Hi-Reliability应用程序gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量时钟抖动的精密计时程序gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何在精密测量相位抖动和相位噪声时间应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器SiTime新领域的程序员吗gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
提高性能与高温工业设备,超强劲的MEMS振荡器gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS时机提高触屏设备的解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
现场可编程定时医疗应用解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
Ultra-robust MEMS时机解决方案提高仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS-Based石英谐振器和振荡器现在取代gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
联系MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT1618数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器的程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002终止建议单端驱动单个或多个负载振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最好的设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10007时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10025可靠性计算SiTime振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
电磁敏感性比较MEMS和Quartz-based振荡器gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
冲击和振动的比较MEMS和Quartz-based振荡器gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033频率测量振荡器的指导方针gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
弹性和硅MEMS振荡器的可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一™和EpiSeal™流程gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用一个振荡器的八大理由,而不是一个晶体谐振器gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优势——第2部分MEMS谐振器的工作原理betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精度的长期抖动和Cycle-to-cycle抖动时间应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
AN10052 IEEE 1588精确时间协议(PTP) ITU-T标准gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10062振荡器的相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
PCI Express Refclk抖动合规使用相位噪声分析仪gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS的优势时间参数gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器——革新市场时机gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime第二时间机器——第1部分:如何安装振荡器的编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime第二时间机器——第2部分:如何项目现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 3225 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
SiTime MEMS时机解决方案(8.5 x11)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS时机解决方案(A4)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS (A4)中国时间的解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
硅取代石英(日文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何建立一个实时示波器测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10071计算领带波峰因素电信应用程序gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算领带波峰因素Non-telecom应用程序gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10072确定相位噪声的主要来源,通过检查gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10074把示波器噪声从均方根抖动测量gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba

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