SiT2020BMLS1-33E-1.000000GydF4y2Ba

数据表GydF4y2Ba
带领SOT23包装，以便最佳板级可靠性，检查和可制造性GydF4y2Ba

SiT2020BMLS1-33E-1.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
1 MHz.GydF4y2Ba
频率稳定性（ppm）GydF4y2Ba
20.GydF4y2Ba
工作温度范围(°C)GydF4y2Ba
-55到125.GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
电源电压（V）GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
封装尺寸（mm x mm）GydF4y2Ba
SOT23（2.9x2.8）GydF4y2Ba
包装高度（mm）GydF4y2Ba
０．７５GydF4y2Ba
输出驱动力量*GydF4y2Ba
l strGydF4y2Ba
特征引脚GydF4y2Ba
OEGydF4y2Ba
拉伸范围（PPM PR）GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
传播百分比GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
摇摆不定的选择GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出电压或交流摆幅GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
RoHSGydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*详见数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
D = 3000 ctGydF4y2Ba
E = 1000GydF4y2Ba
g = 250 ctGydF4y2Ba
  • 带领SOT23包装，以便最佳板级可靠性，检查和可制造性GydF4y2Ba
    扩大GydF4y2Ba

    带领SOT23包装，以便最佳板级可靠性，检查和可制造性GydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • ±20 ppm.GydF4y2Ba
  • -55°C至125°C的工作温度范围GydF4y2Ba
  • 小SOT23-5包：GydF4y2Ba
    • 在极端温度范围内，户外应用的最佳稳定性;GydF4y2Ba

0.1 ppb/GydF4y2BaGGydF4y2Ba低的GydF4y2BaGGydF4y2Ba-灵敏度GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中没有性能下降;GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50,000人GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 不可毁灭的;GydF4y2Ba

FlexEdge™ 上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI，减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5包GydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单、低成本、光学、板级焊点检测;GydF4y2Ba

超快交付周期（4至6周）GydF4y2Ba

  • 减少库存管理费用GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • 石油勘探钻井GydF4y2Ba
  • 功率放大器GydF4y2Ba
  • 工业电机GydF4y2Ba
  • 压力表GydF4y2Ba
  • 航空航天设备GydF4y2Ba
  • 雷达GydF4y2Ba
  • 航空电子设备GydF4y2Ba

缩小范围：GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23包装成分报告GydF4y2Ba 组成报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境政策环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime保修日期代码GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
5L-SOT23包装鉴定报告- CarsemGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23封装UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
塔楼爵士乐威发SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- CarsemGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
西泰环保合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告-UTACGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

评估板GydF4y2Ba(GydF4y2Ba接触SiTimeGydF4y2Ba)GydF4y2Ba- SIT6097（2928 SOT23-5）GydF4y2Ba

时光机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率，电压，稳定性等GydF4y2Ba

频率斜率（DF / DT）计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba–获取各种运行条件下的拟合/平均无故障时间数据GydF4y2Ba

sot 23 5-pinsGydF4y2Ba3D步骤模型GydF4y2Ba–在3D中预览振荡器包GydF4y2Ba

缩小范围：GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT2020 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 9.8304MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 11.0592 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 12MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 13.52127MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 13.225625MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 13兆赫LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 15MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 16.384 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 16MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 18.432MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 19.6608 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 20MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 22.1184MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 24.56 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 24.576MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 24MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 25兆赫LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 26MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 27MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 29.4912 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 30MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 32 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 33MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 36MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 40MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 48 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 50MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 54MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 60MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 62.5MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 66MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 72MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 74.25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020 77.76MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2020 100 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2020（LVCMOS，1.8 V）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2020（LVCMOS，2.5 V）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2020（LVCMOS，2.8 V）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2020（LVCMOS，2.25至3.63 V）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2020（LVCMOS，3.3 V）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
性能比较：硅MEMS经验石英振荡器GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何在精密定时应用中测量时钟抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新领域程序员GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器有利于LED照明GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改善了触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超强鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用中的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
mems谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
与MEMS联系：机电接口GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SIT2020B数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
单端振荡器驱动单或多负载的终止建议GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10006仪器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタクロックジッタの定义と方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
距离浮气器函数计算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10025恒化振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
检测振荡器输出GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振の电阻场感受率の比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英基振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英基振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033仪器の周波数量ガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器代替晶体谐振器的前8个原因GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性与测量技术GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
ITU-T标准中的AN10052 IEEE 1588精密时间协议（PTP）GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SC-AN10007时动词定义与送量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动符合性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS时序的优点 - 参数GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-彻底改变计时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Sentime的时间机器II - 第1部分：如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
环境机器II - 第2部分：如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
sot 23 5-pinsGydF4y2Ba 3 d步模型GydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案（8.5x11）GydF4y2Ba 小册子/飞行员GydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案（A4）GydF4y2Ba 小册子/飞行员GydF4y2Ba
Sentime MEMS时序解决方案（A4）中文GydF4y2Ba 小册子/飞行员GydF4y2Ba
工业时序解决方案GydF4y2Ba 小册子/飞行员GydF4y2Ba
硅替换石英（日本字幕）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
硅取代石英（中文字幕）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Sentime Mems First工人GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
计算电信应用的TIE峰值因子GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
计算非电信应用的TIE峰值因子GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主导来源GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中去除示波器噪声GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba

订阅新闻和更新GydF4y2Ba