SiT2020BMLS1-33E-10.000000GydF4y2Ba

数据表GydF4y2Ba
铅SOT23封装提供最佳的板级可靠性、检查和可制造性GydF4y2Ba

SiT2020BMLS1-33E-10.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
10 MHzGydF4y2Ba
频率稳定性（ppm）GydF4y2Ba
20.GydF4y2Ba
操作温度。范围（°C）GydF4y2Ba
-55至125GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
电源电压（V）GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
包装尺寸(mm x mm)GydF4y2Ba
SOT23 (2.9 x2.8)GydF4y2Ba
包高度(毫米)GydF4y2Ba
0.75GydF4y2Ba
输出驱动强度*GydF4y2Ba
L Str博士GydF4y2Ba
特征引脚GydF4y2Ba
OEGydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
传播比例GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
直流耦合输出电压或交流摆幅GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHGydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
RoHSGydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*详见数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
d = 3,000 ctGydF4y2Ba
e = 1,000GydF4y2Ba
G = 250 ctGydF4y2Ba
  • 铅SOT23封装提供最佳的板级可靠性、检查和可制造性GydF4y2Ba
    扩大GydF4y2Ba

    铅SOT23封装提供最佳的板级可靠性、检查和可制造性GydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • ±20 ppmGydF4y2Ba
  • -55°C至125°C工作温度范围GydF4y2Ba
  • 小SOT23-5包:GydF4y2Ba
    • 在室外应用的极端温度范围内最佳级别稳定性;GydF4y2Ba

0.1 ppb/GydF4y2BaGGydF4y2Ba低GydF4y2BaGGydF4y2Ba灵敏GydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下无性能下降;GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动与振动GydF4y2BaGGydF4y2Ba冲击GydF4y2Ba

  • 坚不可摧;GydF4y2Ba

FlexEdge™ 上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5套餐GydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单，低成本，光学，焊接接头的板级检查;GydF4y2Ba

超快交付周期（4至6周）GydF4y2Ba

  • 减少库存管理费用GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 石油勘探钻井GydF4y2Ba
  • 功率放大器GydF4y2Ba
  • 工业汽车GydF4y2Ba
  • 压力表GydF4y2Ba
  • 航空航天设备GydF4y2Ba
  • 雷达GydF4y2Ba
  • 航道GydF4y2Ba

缩小范围：GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23封装组成报告GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
环境冲突金属宣言GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime保修日期代码GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
5L-SOT23封装资格报告 - CAREMGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SIT16XX，SIT89XX高温产品资格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
塔楼爵士乐威发SGS报告GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告 - CAREMGydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP包装同质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
环境合规声明GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告-UTACGydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba

评估板GydF4y2Ba(GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba)GydF4y2Ba- SiT6097 (2928 SOT23-5)GydF4y2Ba

时间机器II程序员GydF4y2Ba- 程序频率，电压，稳定性和更多GydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

可靠性的计算器GydF4y2Ba–获取各种运行条件下的拟合/平均无故障时间数据GydF4y2Ba

SOT 23 5针GydF4y2Ba三维步模型GydF4y2Ba–在3D中预览振荡器包GydF4y2Ba

缩小范围：GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT2020 7.3728MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 8 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 9.8304 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 9.84375MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 11.0592MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 12.288MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 12MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 13.52127MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 13.225625MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 13MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 14.31818MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 15 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 16.384MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 16兆赫LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 18.432 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 19.6608MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 20MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 22.1184MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 24.56MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 24.576 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 24MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 26 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 27MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 29.4912MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 30MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 33MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 36MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 40 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 48MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 50MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 54MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 60MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 62.5MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 66 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 72 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 74.25 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 74.176 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 75 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020 77.76MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT2020 100MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT2020（LVCMOS，1.8伏）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 2.5 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2020（LVCMOS，2.8伏）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 2.25 to 3.63 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 3.3 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何在精密定时应用中测量时钟抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何在精密定时应用中测量相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何使用Sentime的新现场编程器获得即时振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器有利于LED照明GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改善了触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
接触MEMS：机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
Field Programmable振荡器DatasheetGydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SiT2020B数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
Time Machine II MEMS振荡器程序员GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器的终止建议，驱动单个或多个负载GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10025 SiTime振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英基振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器材と水晶仪器のの比较（耐冲撃と移动）GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英基振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10033振荡器的频率测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SITIMEのMEMS FIRST™プロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
stime的MEMS First™和Episeal™流程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器代替晶体谐振器的前8个原因GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
ITU-T标准中的AN10052 IEEE 1588精密时间协议（PTP）GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡频率销量江南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动符合性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS时序参数的优点GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-彻底改变计时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime的时间机器II-第1部分：如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SOT 23 5针GydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(8.5x11)GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SiTime MEMS定时方案(A4)GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SiTime MEMS计时解决方案（A4）中文版GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
工业时序解决方案GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
硅取代石英(日文字幕)GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
硅取代石英（中文字幕）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10071计算领带电信应用因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主要来源GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中去除示波器噪声GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba

订阅新闻和更新GydF4y2Ba