SIT2024BA-S2-33E-24.000000gydF4y2Ba

数据表gydF4y2Ba
含铅SOT23封装，具有最好的板级可靠性，检验和可制造性gydF4y2Ba

SIT2024BA-S2-33E-24.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
24 MHzgydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
25.gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba
-40到125.gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压（V）gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
封装尺寸（mm x mm）gydF4y2Ba
SOT23 (2.9 x2.8)gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
1.45gydF4y2Ba
输出驱动强度*gydF4y2Ba
默认gydF4y2Ba
特征PIN.gydF4y2Ba
输出使能gydF4y2Ba
拉范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播百分比gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出Vol或AC SwinggydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详情见数据表gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba

d = 3,000 ctgydF4y2Ba
e = 1,000.gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba
  • 含铅SOT23封装，具有最好的板级可靠性，检验和可制造性gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    含铅SOT23封装，具有最好的板级可靠性，检验和可制造性gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20 ppm.gydF4y2Ba
  • -55至125°C温度范围gydF4y2Ba
  • SOT23-5包:gydF4y2Ba
    • 在极端温度范围内具有一流的稳定性，是汽车和高可靠性应用的理想选择gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境中没有性能下降gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10,000人gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 坚不可摧gydF4y2Ba

可配置的上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰gydF4y2Ba

SOT23-5套餐gydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性gydF4y2Ba
  • 简单，低成本，光学，板级焊点检查gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险gydF4y2Ba
  • 发动机和变速器ECUgydF4y2Ba
  • XTAL替代品gydF4y2Ba
  • ADAS计算机gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 发动机和动力系统gydF4y2Ba
  • 国防和航空航天gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5L-SOT23封装组成报告gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子产业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品制造笔记gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime对日期代码的保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001：2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5L-SOT23包装合格报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SIT16XX，SIT89XX高温产品资格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23软件包UTAC可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告 - CAREMgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
合格证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23套装均质材料和SGS报告 - UTACgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba（gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba）gydF4y2Ba- SiT6097 (2928 SOT23-5)gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba- 程序频率，电压，稳定性和更多gydF4y2Ba

频率斜率（DF / DT）计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据gydF4y2Ba

说23日5针gydF4y2Ba三维步模型gydF4y2Ba- 预览3D中的振荡器包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2024 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 9.8304MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 13.225625MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 14.31818 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 15MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 16.384MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 16MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 18.432MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 19.6608MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 24.56MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 24.576 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 27MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 30MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 48MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 65 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 66 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 74.25MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 74.176MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 75 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 77.76MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.25 to 3.63 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何使用Sentime的新现场编程器获得即时振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS与石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
使用超健壮的MEMS振荡器提高汽车的可靠性和性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
get In Touch with MEMS: The机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SIT2024B Datasheet.gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器的终止建议，驱动单个或多个负载gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006仪器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
距离浮气器函数计算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个理由gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量长期抖动和周期到周期抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
AN10052 IEEE 1588 ITU-T标准的精密时间协议（PTP）gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动顺应性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS定时参数的优点gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革新时机市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
Sentime的时间机器II - 第1部分：如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何对现场可编程振荡器进行编程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
说23日5针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
汽车系统定时解决方案gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案（8.5x11）gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SiTime MEMS时序解决方案(A4)gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SiTime MEMS Timing Solutions (A4)中文gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
硅替换石英（日本字幕）gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检测确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从RMS抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba

订阅新闻和更新gydF4y2Ba