SIT2024BABS3-33N-25.000000GydF4y2Ba

SIT2024BABS3-33N-25.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
25 MHz.GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba
50.GydF4y2Ba
操作温度。范围(°C)GydF4y2Ba
-40年到125年GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
lvcmos.GydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
包装尺寸(毫米x毫米)GydF4y2Ba
SOT23(2.9x2.8)GydF4y2Ba
包装高度(mm)GydF4y2Ba
1.45GydF4y2Ba
输出驱动力量*GydF4y2Ba
“B”驱动力量GydF4y2Ba
功能销GydF4y2Ba
没有连接GydF4y2Ba
拉伸范围(PPM PR)GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
传播比例GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出VOL或交流摆动GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息,请参阅数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
3000ctGydF4y2Ba
E = 1000GydF4y2Ba
g = 250 ctGydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • ±20 ppmGydF4y2Ba
  • -55至125°C的温度范围GydF4y2Ba
  • SOT23-5包:GydF4y2Ba
    • 全极其温度范围内的最佳稳定性,适用于汽车和高密钥应用GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低的GydF4y2BaGGydF4y2Ba-灵敏度GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中没有性能下降GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和10000GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 不可毁灭的GydF4y2Ba

可配置的上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI,减少对其他子系统的干扰GydF4y2Ba

SOT23-5包GydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单,低成本,光学,电路板级检查焊点GydF4y2Ba

超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba
  • 发动机和变速器ecuGydF4y2Ba
  • 晶体替代GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 发动机和动力系GydF4y2Ba
  • 国防与航空航天GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23包装组成报告GydF4y2Ba 组成报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境政策环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
5L-SOT23封装资格报告 - CAREMGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均匀材料和SGS报告- CarsemGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
SiTime环境合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均匀材料和SGS报告- UTACGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

评估板GydF4y2Ba(GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba)GydF4y2Ba- SIT6097(2928 SOT23-5)GydF4y2Ba

时间机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性和更多GydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba-获取各种操作条件下的FIT/MTBF数据GydF4y2Ba

sot 23 5-pinsGydF4y2Ba3D步骤模型GydF4y2Ba-预览振荡器软件包在3DGydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT2024 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 8.192MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 9.8304 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 11.0592MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 13.52127MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 13MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 14.7456MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 15 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 16.384 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 16兆赫LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 18.432 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 19.6608 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 20MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 22.1184MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 24.56 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 24.576MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 24MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 26MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 27 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 29.4912MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 30 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 33MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 40MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 48 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 50MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 54MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 60MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 62.5MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 65MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 66MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 72MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 74.25 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 74.176 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 74.175824MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 77.76 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 100MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2024(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2024(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2024(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2024(LVCMOS,3.0 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2024(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2024(LVCMOS,2.25至3.63 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS经验石英振荡器GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
精密定时应用中如何测量时钟抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新现场程序员GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
用超强稳健的MEMS振荡器提高汽车可靠性和性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
医疗应用领域可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
mems谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
与MEMS联系:机电接口GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
Field Programmable Oscillators DatasheetGydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SiT2024B数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンドシングルエンド器材のの推奨方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器驱动单个或多个负载的终止建议GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタクロックジッタの定义と方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10025恒化振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブプローブ使使使しししたのの波形波形计测方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振の电阻场感受率の比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器材と水晶仪器のの比较(耐冲撃と移动)GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033仪器の周波数量ガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SITIMEのMEMS FIRST™プロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
stime的MEMS First™和Episeal™流程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理2betway开户官网GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
ITU-T标准中的IEEE 1588 Precision Time Protocol (PTP)GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10007时动词定义与送量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡频率销量江南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
PCI使用相位噪声分析仪表达REFCLK抖动符合性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS时序的优点 - 参数GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SINIME MEMS振荡器 - 彻底改变定时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
环境机器II - 第2部分:如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
sot 23 5-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
汽车系统时序解决方案GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SiTime MEMS时序解决方案(8.5x11)GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案(A4)GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
Sentime MEMS时序解决方案(A4)中文GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
硅取代石英(日文字幕)GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Sentime Mems First工人GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10071计算领带电信应用因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
计算非电信应用TIE波峰因子GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主导来源GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba