sit2024babs8 - 33 - n - 8.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
8 MHzgydF4y2Ba
频率稳定性(ppm)gydF4y2Ba
30.gydF4y2Ba
工作温度。范围(°C)gydF4y2Ba
-40到125gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
包装尺寸(mm x mm)gydF4y2Ba
SOT23 (2.9 x2.8)gydF4y2Ba
包装高度(mm)gydF4y2Ba
1.45gydF4y2Ba
输出驱动强度*gydF4y2Ba
“B”驱动力gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
没有连接gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出VOL或交流摆动gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详见数据表gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba

D = 3,000 ctgydF4y2Ba
E = 1,000gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba

独特的组合gydF4y2Ba

  • ±20 ppmgydF4y2Ba
  • -55 ~ 125℃温度范围gydF4y2Ba
  • SOT23-5包:gydF4y2Ba
    • 在极端温度范围内的最佳稳定性是汽车和高可靠应用的理想选择gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下性能不下降gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 不可毁灭的gydF4y2Ba

可配置上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰gydF4y2Ba

SOT23-5包gydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性gydF4y2Ba
  • 简单,低成本,光,板级焊点检查gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 减少库存开销gydF4y2Ba
  • 减少短缺风险gydF4y2Ba
  • 发动机和传动ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 发动机和动力系统gydF4y2Ba
  • 国防与航空航天gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5L-SOT23包装成分报告gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
四泰产品制造说明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
四泰环保政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
四泰科技日期代码保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5L-SOT23包装鉴定报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- CarsemgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
四泰环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明证书gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- UTACgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SiT6097 (2928 sot32 -5)gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性等gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率随温度的变化gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba获取各种工况下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba

SOT 23个5针gydF4y2Ba三维阶梯模型gydF4y2Ba-预览振荡器包在3DgydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2024 7.3728MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 8.192MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 8MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 9.8304MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 9.84375MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 11.0592MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 12.288MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 12MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 13.52127MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 13.225625MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 13MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 14.7456MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 14.31818MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 15MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 16.384MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 16MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 18.432MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 19.6608MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 20MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 22.1184MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 24.56MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 24.576MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 24MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 25MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 26MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 27MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 29.4912MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 30MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 32MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 33MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 36MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 40MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 48MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 50MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 54MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 60MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 62.5MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 65MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 66MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 72MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 74.25MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 74.176MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 74.175824MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 75MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 77.76MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 100MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.25 ~ 3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS和石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中增强时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量时钟抖动在精密计时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量相位抖动和相位噪声在精密计时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何使用SiTime的新现场编程器获得即时振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
使用超健壮的MEMS振荡器提高汽车的可靠性和性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
医疗应用现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于mems的谐振器和振荡器正在取代石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT2024B数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-an10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002单端振荡器驱动单或多负载的终止建议gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-an10006発振器のpcbデザ▪▪ンのガ▪▪ドラ▪▪ンgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-an10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-an10028プロ,ブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
memsおよび水晶ベ,ス発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
mems発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-an10033発振器の周波数測定ガaapl . exeドラaapl . exeンgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンmems発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS First™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个原因gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期到周期抖动在精密计时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
AN10052 IEEE 1588 ITU-T标准中的PTP (Precision Time Protocol)gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
Sc-an10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
Sc-an10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动遵从性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS定时参数的优势gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革命性的定时市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SOT 23个5针gydF4y2Ba 三维阶梯模型gydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
汽车系统定时解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(A4)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(A4)中文gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
硅取代石英(日语字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS First工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10071计算电信应用的TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算非电信应用的TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检查确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba