sit5157ai -颗- 28 - n0 - 98.304000

设备类型 Super-TCXOs
频率
98.304兆赫
频率稳定度(ppm)
0.5
工作温度范围(°C)
-40年到85年
输出类型
LVCMOS
电源电压(V)
2.80
包装尺寸(mm x mm)
5.0 x3.2
包高度(毫米)
0.75
输出驱动力量*
默认的
功能销
没有连接
拉力范围(PPM PR)
N/A
传播比例
N/A
摇摆不定的选择
N/A
直流耦合输出电压或交流摆动
N/A
DC-Coupled输出VOH
N/A
RoHS
是的

*详细信息请参见数据表

磁带和卷轴选项

T = 3000 ct
F =低于250pcs
X = 1500 ct
Y = 250 ct

在气流、快速温度和斜坡作用下,具有优异的动态稳定性

  • ±500磅的温度过高。稳定
  • 3e-11 ADEV,平均10秒
  • ±15 ppb/°C频率斜率(ΔF/ΔT), 10°C/min斜坡
    • 在任何操作条件下都能实现最快的卫星锁定

振动时相位噪声提高20倍

  • 最大限度地减少高振动环境下的卫星锁定损失

没有活动下降或微跳跃

  • 消除了昂贵的检查或老化测试的需要

0.2 ps/mV电源噪声抑制(PSNR)

  • 通过消除TCXO专用的LDO来减少BOM

LVCMOS或剪切正弦波输出

  • 优化EMI和抖动之间的最佳平衡

丰富的可编程特性

  • 60 - 189 MHz和200 - 220 MHz之间的任何频率
  • ±0.5 ppm,±1ppm,±2.5 ppm
  • 2.25至3.63 V
  • 大拉力范围从±6.25到±3200 ppm:
    • 定制TCXO规格,以优化系统性能

通过I2C进行数字频率调谐

  • 消除由电路板噪声引起的频移

优越的可靠性

  • 10亿小时MTBF
  • 终身保修:减少维修成本和现场故障由于时钟组件

  • 数据通信系统
  • 微波回程
  • 以太网交换机和路由器
  • 数据中心
  • 音频和视频
  • 测试和测量
  • 工业IEEE1588
  • 精密GNSS
  • GPS / GNSS模块

狭窄:

文档名称 类型
10l陶瓷包装成分报告(Elite SiT51xx, SiT53xx TCXO) 成分报告
电子工业公民联盟模板 其他质量文件
SiTime产品的制造说明 其他质量文件
SiTime冲突金属声明 其他质量文件
SiTime环境政策 其他质量文件
SiTime日期代码担保 其他质量文件
冲突矿产报告模板 其他质量文件
10l陶瓷封装可靠性报告 可靠性报告
SiT515X, SiT535X产品确认报告 可靠性报告
台积电晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
Tower Jazz Wafer SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4L/6L-QFN包装材料及SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
BOSCH Wafer SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
WLCSP包装同质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
西泰环保合规声明 RoHS /实现/绿色证书
符合证书-欧盟RoHS声明 RoHS /实现/绿色证书
10L陶瓷(精英TCXO) RoHSCert封装均质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书

SiT6722(5032)评估板用户手册-评估振荡器性能

可靠性的计算器获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据

抖动计算器和绘图-将相位噪声转换为相位抖动,找到相位噪声图

TimeMaster配置软件-通过I2C/SP配置和评估振荡器

频率斜率(dF/dT)计算器-计算频率斜率超过温度

时间误差仿真软件-模拟和分析本振的影响

5032年陶瓷、随三维步模型-在3D预览振荡器包

狭窄:

资源名称 类型
硅MEMS可靠性和弹性 演讲
性能比较:硅MEMS与石英振荡器 演讲
在精确定时应用中如何测量时钟抖动 演讲
如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用 演讲
硅MEMS vs石英供应链 演讲
mems谐振器和振荡器正在取代石英 演讲
接触MEMS:机电接口 演讲
SiT5157数据表 数据表
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法 应用笔记
单端振荡器驱动单或多负载的终止建议 应用笔记
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドライン 应用笔记
最佳设计和布局实践 应用笔记
时钟抖动的定义和测量方法 应用笔记
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法 应用笔记
SiTime発振器の信頼性計算方法 技术论文
SiTime振荡器的可靠性计算 应用笔记
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法 应用笔记
检测振荡器输出 应用笔记
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較 技术论文
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较 技术论文
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動) 技术论文
MEMS与石英振荡器的冲击与振动比较 技术论文
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドライン 应用笔记
振荡器频率测量指南 应用笔记
J-AN10039 TCXOの周波数安定性および周波数精度バジェット 应用笔记
AN10039 TCXO频率稳定性和频率精度预算 应用笔记
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性 技术论文
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性 技术论文
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術 技术论文
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺 技术论文
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网 演讲
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用 演讲
硅MEMS振荡器频率特性与测量技术 演讲
精密MEMS tcxo在环境应力条件下的同步系统性能效益 技术论文
SiT6911EB插入板用户手册 用户手册
SiT6722EB评估板用户手册 用户手册
IEEE 1588 ITU-T标准中的PTP (Precision Time Protocol) 应用笔记
用于GNSS应用的精英超级tcxo 产品简介
用于5G、小小区和时间同步的精英精密超tcxo 产品简介
双mems和涡轮补偿温度传感技术 技术论文
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法 应用笔记
SC-AN10033振荡器频率测量指南 应用笔记
SiT5157 60.000001 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT5157 76.8 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT5157 98.304 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT5157 153.6 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT5157 156.25 mhz LVCMOS 频率测试报告。
通信和企业的时序解决方案 小册子和传单
AN10063 TCXO和OCXO稳定性降级 应用笔记
相位噪声测量教程 视频
敲打振荡器演示 视频
SiT5157 (LVCMOS, 3.3 V) 宜必思模型
SiT5157 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SiT5157 (cine, 3.3 V) 宜必思模型
SiT5157 (cine, 2.5 V) 宜必思模型
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk Jitter Compliance 演讲
AN10064提高系统性能的数字频率调谐精度超tcxo 应用笔记
《SiT6702DM演示板用户手册》 用户手册
MEMS时序参数的优点 视频
Elite Super-TCXO提高了GNSS的鲁棒性 视频
Elite Super-TCXO提高IEEE 1588应用的性能 视频
SiTime MEMS振荡器——时间市场的革命 视频
网络演进5G -定时和同步 视频
5032年陶瓷、随 3 d步模型
《SiT6702DM Demo Board快速入门指南》 用户手册
如何使用SiTime tcxo和ocxo进行设计 视频
工业时序解决方案 小册子和传单
Elite Precision Super-TCXOs解决网络和电信定时问题 视频
服务器的SiTime MEMS定时解决方案 视频
SiTime MEMS第一工艺 技术论文
如何设置实时示波器来测量抖动 应用笔记
计算电信应用的TIE峰值因子 应用笔记
计算非电信应用的TIE峰值因子 应用笔记
通过检验确定相位噪声的主要来源 应用笔记
从有效值抖动测量中去除示波器噪声 应用笔记