SIT8918BA-11-33N-30.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
30 MHzGydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba
20GydF4y2Ba
操作温度。范围(°C)GydF4y2Ba
-40至125GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
lvcmosGydF4y2Ba
电压电压(V)GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
包装尺寸(mm x mm)GydF4y2Ba
2.5x2.0GydF4y2Ba
包装高度(毫米)GydF4y2Ba
0.75GydF4y2Ba
输出驱动强度*GydF4y2Ba
默认GydF4y2Ba
功能引脚GydF4y2Ba
没有连接GydF4y2Ba
拉范围(PPM PR)GydF4y2Ba
N/A。GydF4y2Ba
传播百分比GydF4y2Ba
N/A。GydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
N/A。GydF4y2Ba
DC耦合输出VOL或交流秋千GydF4y2Ba
N/A。GydF4y2Ba
DC耦合输出VOHGydF4y2Ba
N/A。GydF4y2Ba
RohsGydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息,请参见数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

胶带和卷轴选项GydF4y2Ba
d = 3,000 ctGydF4y2Ba
E = 1,000GydF4y2Ba
g = 250 ctGydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • ±20 ppmGydF4y2Ba
  • 汽车温度。(-40至125°C)GydF4y2Ba
  • 最小的包装(2.0 x 1.6 mmxmm):GydF4y2Ba
    • 更好的定时余量是空间约束,室外和高温的理想选择。操作环境GydF4y2Ba

0.1 ppb/GydF4y2BaGGydF4y2Ba低振动灵敏度GydF4y2Ba

  • 振动下的系统性能改善GydF4y2Ba
  • 更简单的载体滴测试合规性(STB等)GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50,000GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中的最佳系统可靠性GydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力强度GydF4y2Ba

  • 较慢的上升/秋季时间最小化振荡器的EMIGydF4y2Ba
  • 通过驾驶多个负载降低成本并消除其他计时组件GydF4y2Ba

5个行业标准包GydF4y2Ba

  • 100%的石英XO置换量GydF4y2Ba

超快速交货时间(4到6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和传输ECUSGydF4y2Ba
  • XTAL更换GydF4y2Ba
  • ADAS计算机GydF4y2Ba
  • 汽车相机GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 精密GNSSGydF4y2Ba
  • GPS/GNSS模块GydF4y2Ba
  • 电力与能源GydF4y2Ba

狭窄作者:GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN软件包组成报告(SIT160X,SIT800X,SIT1618,SIT89XX)GydF4y2Ba 组成报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
现场产品的制造笔记GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
现场冲突矿产政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
现场环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
现场保修日期代码GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
现场振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS处理产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L -QFN包装资格报告 - UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L -QFN软件包资格报告 - ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L -QFN包装资格报告 - CARSEMGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
TSMC WAFER SGS报告GydF4y2Ba ROHS/REACH/绿色证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba ROHS/REACH/绿色证书GydF4y2Ba
4L/6L-QFN包均匀材料和SGS报告GydF4y2Ba ROHS/REACH/绿色证书GydF4y2Ba
Bosch Wefer SGS报告GydF4y2Ba ROHS/REACH/绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP软件包均质材料和SGS报告GydF4y2Ba ROHS/REACH/绿色证书GydF4y2Ba
现场环境合规声明GydF4y2Ba ROHS/REACH/绿色证书GydF4y2Ba
合规性证书-EU ROHS声明GydF4y2Ba ROHS/REACH/绿色证书GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba

评估委员会GydF4y2Ba((GydF4y2Ba接触现场GydF4y2Ba)GydF4y2Ba-GydF4y2BaSIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)GydF4y2Ba

频率斜率(DF/DT)计算器GydF4y2Ba- 计算温度频率GydF4y2Ba

Time Machine II程序员GydF4y2Ba-GydF4y2Ba程序频率,电压,稳定性等等GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba-GydF4y2Ba获取适合/MTBF数据的各种操作条件GydF4y2Ba

2016 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050 4针GydF4y2Ba- 带有QFN 3D步骤模型的预览软件包GydF4y2Ba

狭窄作者:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT8918 19.6608MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 24MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 7.3728MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 8MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 9.8304MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 9.84375MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 11.0592MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 12.288MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 12MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 13.52127MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 13.225625MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 13MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 14.31818MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 15MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 16.384MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 16MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 18.432MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 20MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 22.1184MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 24.56MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 25MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 26MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 27MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 29.4912MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 30MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 32MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 33MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 36MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 40MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 48MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 50MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 54MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 60MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 62.5MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 65MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 66MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 72MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 74.25MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 74.176MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 75MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 77.76MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 100MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗雷克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba ibis模型GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba ibis模型GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba ibis模型GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,3.0 V)GydF4y2Ba ibis模型GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba ibis模型GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,2.25至3.63 V)GydF4y2Ba ibis模型GydF4y2Ba
硅内存可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能比较:硅内存经文Quartz振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器增强了工业和HI可靠性应用中的时钟性能GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何在精确时序应用程序中测量时钟抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何在精确时序应用中测量相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何使用Sitime的新现场程序员获得即时振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅内存与石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
增强具有高温,超强的MEMS振荡器的工业设备的性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
硅内存振荡器为LED照明提供好处GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改善触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
用于医疗应用的现场编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超稳定mems的时序解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器改善了电动机控制应用中的可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器现在正在取代石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
与MEMS联系:机电界面GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SIT8918数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
Time Machine II MEMS振荡器程序员GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
j-an10002シングルエンド発振の终端方法方法GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
单端振荡器驱动单个或多个负载的AN10002终止建议GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
j-an10006発振器ののデザインデザインのラインラインGydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动的定义和测量方法GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
j-an10007クロックジッタのと测定方法GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
现场発振発振の计算方法方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10025现场振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
j-an10028プローブ使用し発振器出力波形方法方法GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
memsおよび水晶発振の电磁场感受比较比较比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和基于石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
mems発振器水晶発振器性能比较(耐冲撃と耐振动)GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和基于石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
j-an10033発振器の数ガイドラインラインGydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
AN10033振荡器的频率测量指南GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
mems発振発振器耐性および性性性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅内存振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SitimeのMemsFirst™プロセスプロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
Sitime的Mems First™和EpiseAl™流程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器代替晶体谐振器的前8个理由GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何在精确时序应用中测量长期抖动和周期循环抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅内存振荡器频率特性和测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
sc-an10007时钟抖动定义方法方法方法GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率指南指南GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
AN10062振荡器的相位噪声测量指南GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
相噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
PCI Express Refclk抖动使用相位噪声分析仪GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS计时的优点 - 参数GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Siteme Mems振荡器 - 革新定时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Sitime的Time Machine II-第1部分:如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Sitime的Time Machine II-第2部分:如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
QFN 2016 4针GydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 2520 4针GydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 3225 4针GydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 5032 4针GydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 7050 4针GydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
工业定时解决方案GydF4y2Ba 小册子/传单GydF4y2Ba
Sitime Mems首先GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
AN10071计算电信应用程序的Crest因子GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
AN10070计算领带的非telecom应用程序GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主要来源GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中删除示波器噪声GydF4y2Ba 申请说明GydF4y2Ba
工厂自动化GydF4y2Ba 申请简介GydF4y2Ba
工业机器人技术GydF4y2Ba 申请简介GydF4y2Ba