所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年gydF4y2Ba
SiT8918销作业gydF4y2Ba
SiT8918框图gydF4y2Ba
独一无二的结合gydF4y2Ba
- ±20 ppmgydF4y2Ba
- 汽车温度。(-40至125°C)gydF4y2Ba
- 最小封装(2.0 x 1.6 mmxmm):gydF4y2Ba
- 更好的时间裕度，适合空间有限，户外和高温。操作环境gydF4y2Ba
十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低振动的敏感性gydF4y2Ba
- 改善系统在振动下的性能gydF4y2Ba
- 更简单的载波跌落测试符合性(STB等)gydF4y2Ba
70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba
- 在恶劣环境下的最佳系统可靠性gydF4y2Ba
FlexEdge™驱动力量gydF4y2Ba
- 更慢的上升/下降时间，最大限度地减少来自振荡器的电磁干扰gydF4y2Ba
- 通过驱动多个负载和消除额外的时间组件降低成本gydF4y2Ba
5个行业标准包gydF4y2Ba
- 100%滴入式替换石英XOgydF4y2Ba
超快交货时间(4至6周)gydF4y2Ba
- 降低库存成本gydF4y2Ba
- 缓解短缺风险gydF4y2Ba
- 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
- 晶体替代gydF4y2Ba
- ADAS电脑gydF4y2Ba
- 汽车摄像头gydF4y2Ba
- 信息娱乐gydF4y2Ba
- 精密GNSSgydF4y2Ba
- GPS / GNSS模块gydF4y2Ba
- 电力和能源gydF4y2Ba
- SiT8918 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 14.31818 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 16兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 24.56 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 65 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 66 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 75 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
| 文档名称gydF4y2Ba | 类型gydF4y2Ba |
|---|---|
| 4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba | 成分报告gydF4y2Ba |
| 电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime产品的制造说明gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime冲突金属声明gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime环境政策gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime日期代码担保gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 冲突矿产报告模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装鉴定报告- UTACgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装确认报告- ASEgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装鉴定报告- CarsemgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 4L/6L-QFN包装材料及SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| BOSCH Wafer SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| WLCSP包装同质材料和SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 西泰环保合规声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 符合证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
Eval董事会gydF4y2Ba（gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba）gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaSiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba
频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba
时光机器II程序员gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba程序频率，电压，稳定性等gydF4y2Ba
可靠性的计算器gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba
2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba-预览包与QFN 3D步骤模型gydF4y2Ba
