sit8918ba - 12 - 33 - e - 60.000000gydF4y2Ba

sit8918ba - 12 - 33 - e - 60.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
60 MHzgydF4y2Ba
频率稳定性(ppm)gydF4y2Ba
25gydF4y2Ba
工作温度。范围(°C)gydF4y2Ba
-40到125gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
包装尺寸(mm x mm)gydF4y2Ba
2.5 x2.0gydF4y2Ba
包装高度(mm)gydF4y2Ba
0.75gydF4y2Ba
输出驱动强度*gydF4y2Ba
默认的gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
允许输出gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出VOL或交流摆动gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详见数据表gydF4y2Ba

立即购买gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba
D = 3,000 ctgydF4y2Ba
E = 1,000gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba

独特的组合gydF4y2Ba

  • ±20 ppmgydF4y2Ba
  • 汽车温度(-40至125°C)gydF4y2Ba
  • 最小包装(2.0 x 1.6 mmxmm):gydF4y2Ba
    • 更好的时间裕度,理想的空间有限,户外和高温。操作环境gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba振动灵敏度低gydF4y2Ba

  • 改进了系统在振动下的性能gydF4y2Ba
  • 更简单的载波跌落测试(STB等)gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba震动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 恶劣环境下最佳的系统可靠性gydF4y2Ba

FlexEdge™驱动器强度gydF4y2Ba

  • 较慢的上升/下降时间,使振荡器的EMI最小化gydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载和消除额外的定时组件来降低成本gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%替代石英XOgydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 减少库存开销gydF4y2Ba
  • 减少短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和传动ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 精密GNSSgydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块gydF4y2Ba
  • 电力与能源gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
四泰产品制造说明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
四泰环保政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
四泰科技日期代码保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装合格报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装确认报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
四泰环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明证书gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

Eval董事会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaSiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率随温度的变化gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba程序频率,电压,稳定性等gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba获得各种工况下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba-预览包与QFN 3D步骤模型gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8918 19.6608MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 24MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 7.3728MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 8.192MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 8MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 9.8304MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 9.84375MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 11.0592MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 12.288MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 12MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 13.52127MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 13.225625MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 13MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 14.7456MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 14.31818MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 15MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 16.384MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 16MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 18.432MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 20MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 22.1184MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 24.56MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 25MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 26MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 27MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 29.4912MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 30MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 32MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 33MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 36MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 40MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 48MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 50MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 54MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 60MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 62.5MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 65MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 66MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 72MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 74.25MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 74.176MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 74.175824MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 75MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 77.76MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 100MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 2.25至3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS和石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中增强时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量时钟抖动在精密计时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量相位抖动和相位噪声在精密计时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何使用SiTime的新现场编程器获得即时振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
利用高温、超鲁棒MEMS振荡器提高工业设备性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
医疗应用现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超健壮的MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于mems的谐振器和振荡器正在取代石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT8918数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-an10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002单端振荡器驱动单或多负载的终止建议gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-an10006発振器のpcbデザ▪▪ンのガ▪▪ドラ▪▪ンgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-an10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-an10028プロ,ブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
memsおよび水晶ベ,ス発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
mems発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-an10033発振器の周波数測定ガaapl . exeドラaapl . exeンgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンmems発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS First™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个原因gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期到周期抖动在精密计时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
Sc-an10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
Sc-an10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动遵从性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS定时参数的优势gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革命性的定时市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
QFN 2016 4针gydF4y2Ba 三维阶梯模型gydF4y2Ba
QFN 2520四脚gydF4y2Ba 三维阶梯模型gydF4y2Ba
QFN 3225 4脚gydF4y2Ba 三维阶梯模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4脚gydF4y2Ba 三维阶梯模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4针gydF4y2Ba 三维阶梯模型gydF4y2Ba
工业定时解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS First工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10071计算电信应用的TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算非电信应用的TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检查确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba