-
五个行业标准的足迹小2016对所有频率,电压,和稳定性gydF4y2Ba
-
SiT8918销作业gydF4y2Ba
-
SiT8918框图gydF4y2Ba
独一无二的结合gydF4y2Ba
- ±20 ppmgydF4y2Ba
- 汽车临时(-40到125°C)。gydF4y2Ba
- 最小的包(2.0 x 1.6 mmxmm):gydF4y2Ba
- 更好的利润空间受限的理想时机,户外和高温。操作环境gydF4y2Ba
十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低振动的敏感性gydF4y2Ba
- 改善系统性能在振动gydF4y2Ba
- 简单的载体落下试验合规(机顶盒等)。gydF4y2Ba
70年gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba
- 最好的系统可靠性在严酷的环境下gydF4y2Ba
FlexEdge™驱动力量gydF4y2Ba
- 缓慢上升/下降时间最小化EMI的振荡器gydF4y2Ba
- 降低成本通过驱动多个负载和消除额外的时间组件gydF4y2Ba
5个行业标准包gydF4y2Ba
- 100%的替代石英XOgydF4y2Ba
超快的交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba
- 降低库存成本gydF4y2Ba
- 缓解短缺风险gydF4y2Ba
- 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
- 晶体替代gydF4y2Ba
- ADAS电脑gydF4y2Ba
- 汽车摄像头gydF4y2Ba
- 信息娱乐gydF4y2Ba
- 精密GNSSgydF4y2Ba
- GPS / GNSS模块gydF4y2Ba
- 电力和能源gydF4y2Ba
- SiT8918 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 14.31818 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 16兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 24.56 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 65 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 66 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 75 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8918 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
文档名称gydF4y2Ba | 类型gydF4y2Ba |
---|---|
4 l-qfn包成分报告(SiT160X、SiT800X SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba | 成分报告gydF4y2Ba |
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
生产笔记SiTime产品gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
SiTime冲突金属宣言gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
SiTime环境政策gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
SiTime保修日期代码gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
4 l-qfn包资格报告——凸版印刷gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
4 l-qfn包资格,ASE报告gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
4 l-qfn包资格报告——先进gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
SiT16XX SiT89XX高临时产品合格报告gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
台积电晶片SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
塔爵士晶片SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
4 l / 6 l-qfn包均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
博世晶片SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
WLCSP包均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
SiTime环保合规声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
Compliance-EU RoHS证书声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
Eval董事会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaSiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba
频率斜率(dF / dT)计算器gydF4y2Ba——计算频率斜率温度gydF4y2Ba
时间机器II程序员gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba程序的频率,电压,稳定&更多gydF4y2Ba
可靠性的计算器gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba保持健康/平均数据为各种操作条件gydF4y2Ba
2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba——预览包QFN 3 d模型gydF4y2Ba