SIT8918BA-13-33E-80.000000GydF4y2Ba

SIT8918BA-13-33E-80.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
80 MHz.GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba
50.GydF4y2Ba
操作温度。范围(°C)GydF4y2Ba
-40至125GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
lvcmos.GydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
包装尺寸(mm x mm)GydF4y2Ba
2.5x2.0GydF4y2Ba
包装高度(mm)GydF4y2Ba
0.75GydF4y2Ba
输出驱动强度*GydF4y2Ba
违约GydF4y2Ba
特征引脚GydF4y2Ba
输出使能GydF4y2Ba
拉伸范围(PPM PR)GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
传播百分比GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出电压或交流摆幅GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息,请参阅数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
D=3000克拉GydF4y2Ba
e = 1,000GydF4y2Ba
g = 250 ctGydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • ±20 ppmGydF4y2Ba
  • 汽车温度。(-40至125°C)GydF4y2Ba
  • 最小的包装(2.0 x 1.6 mmxmm):GydF4y2Ba
    • 更好的时序边缘,适用于空间受限,户外和高温。操作环境GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动灵敏度低GydF4y2Ba

  • 改善振动下的系统性能GydF4y2Ba
  • 更简单的载波跌落测试符合性(机顶盒等)GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50,000人GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中最好的系统可靠性GydF4y2Ba

FlexEdge公司™ 驱动力GydF4y2Ba

  • 较慢的上升/下降时间,将振荡器的电磁干扰降至最低GydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载降低成本并消除额外的定时组件GydF4y2Ba

5个行业标准套餐GydF4y2Ba

  • 100%替换石英XOGydF4y2Ba

超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和变速箱ECUGydF4y2Ba
  • XTAL替换GydF4y2Ba
  • ADAS计算机GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 精密GNSS.GydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba
  • 电力与能源GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN包装组成报告(SiT160X、SiT800X、SiT1618、SiT89XX)GydF4y2Ba 组成报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境政策环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - 汽车GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX、SiT89XX高温产品鉴定报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
塔楼爵士威化SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
SiTime环境合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

评估板GydF4y2Ba(GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba)GydF4y2Ba-GydF4y2BaSiT6095(2016)| SiT6081(2520)| SiT6082(3225)| SiT6083(5032)1246084(7050)GydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

时光机II编程器GydF4y2Ba-GydF4y2Ba程序频率,电压,稳定性和更多GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba-GydF4y2Ba获取适合/ MTBF数据以进行各种操作条件GydF4y2Ba

2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050 4针GydF4y2Ba–使用QFN 3D step模型预览软件包GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT8918 19.6608MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 24MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 8.192MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 9.8304MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 11.0592MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 13.52127MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 13.225625MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 13MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 15MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 16.384MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 16MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 18.432MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 20MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 22.1184MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 24.56MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 26MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 27MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 29.4912MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 30MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 32MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 33MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 36MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 40MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 48MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 50MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 54MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 60MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 62.5MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 65MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 66MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 72MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 74.25MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8918 74.176MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 77.76MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918 100MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT8918(LVCMOS,3.0 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,2.25至3.63 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS经验石英振荡器GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高了时钟性能GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何在精密定时应用中测量时钟抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何用SiTime的新现场程序获得瞬时振荡器GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
提高高温,超强MEMS振荡器的工业设备的性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供了益处GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
医疗应用的现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超强鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用中的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
与MEMS联系:机电接口GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SIT8918数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンドシングルエンド器材のの推奨方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10002驱动单个或多个负载的单端振荡器终端建议GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10006型発振器の印刷电路板デザインのガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタクロックジッタの定义と方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
时间発振器の信頼性計算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10025恒化振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブプローブ使使使しししたのの波形波形计测方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振の电阻场感受率の比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器材と水晶仪器のの比较(耐冲撃と移动)GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033仪器の周波数量ガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SITIMEのMEMS FIRST™プロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
stime的MEMS First™和Episeal™流程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器代替晶体谐振器的8大理由GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点——MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
SC-AN10007时动词定义与送量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡频率销量江南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
PCI使用相位噪声分析仪表达REFCLK抖动符合性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS时序的优点 - 参数GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SINIME MEMS振荡器 - 彻底改变定时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime的时间机器II第1部分:如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
环境机器II - 第2部分:如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
QFN 2016 4-PINSGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 2520 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 3225 4针GydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 5032 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 7050 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
工业用定时解决方案GydF4y2Ba 小册子/传单GydF4y2Ba
Sentime Mems First工人GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器测量抖动GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10071计算领带电信应用因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10070计算非电信应用的峰值系数GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主导来源GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba