SIT8919BA-82-33E-125.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
125 MHz.gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
25.gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba
-40到125.gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
封装尺寸(mm x mm)gydF4y2Ba
7.0x5.0gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
0.90gydF4y2Ba
输出驱动强度*gydF4y2Ba
默认的gydF4y2Ba
特征PIN.gydF4y2Ba
输出使能gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出Vol或AC SwinggydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详细信息请参见数据表gydF4y2Ba

立即购买gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba
X = 1500 ctgydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • 高频(115至137 MHz)gydF4y2Ba
  • ±20 ppm.gydF4y2Ba
  • 汽车温度。(-40至125°C)gydF4y2Ba
  • 最小封装(2.0 x 1.6 mmxmm)gydF4y2Ba
    • 更好的时间裕度,适合空间有限,户外和高温。操作环境gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 改善了振动下的系统性能gydF4y2Ba
  • 更简单的载波跌落测试依从性gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 恶劣环境中最好的系统可靠性gydF4y2Ba

FlexEdge™驱动强度gydF4y2Ba

  • 从振荡器最小化EMI的速度升高/下降时间gydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载来降低成本并消除额外的定时组件gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%替换石英XOgydF4y2Ba

超快交货时间(4至6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 工业传感器gydF4y2Ba
  • 伺服电机gydF4y2Ba
  • 工业控制系统gydF4y2Ba
  • 高温。网络齿轮gydF4y2Ba
  • 医学视频凸轮gydF4y2Ba
  • 资产跟踪gydF4y2Ba
  • 精密GNSSgydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN包组合报告(SIT160x,SIT800x,SIT1618,SIT89xx)gydF4y2Ba 组成报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突矿产政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime日期代码担保gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装确认报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装同质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba

eval委员会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)gydF4y2Ba

频率斜率(DF / DT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba- 程序频率,电压,稳定性和更多gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba- 使用QFN 3D步骤模型预览包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8919 125 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8919 133MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8919(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SIT8919(LVCMOS,3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SIT8919(LVCMOS,2.25至3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS经验石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新领域程序员gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT8919数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
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SiTime MEMS振荡器——时间市场的革命gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
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QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 3225 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
工业时序解决方案gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用的TIE峰值因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算非电信应用的TIE峰值因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检验确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从有效值抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba