sit8919be - 32 - 18 - e - 125.003125GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
125.003125兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba
25GydF4y2Ba
操作温度。范围(°C)GydF4y2Ba
-40年到105年GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
lvcmos.GydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba
1.80GydF4y2Ba
包装尺寸(mm x mm)GydF4y2Ba
5.0x3.2.GydF4y2Ba
包装高度(mm)GydF4y2Ba
0.75GydF4y2Ba
输出驱动力量*GydF4y2Ba
默认GydF4y2Ba
功能销GydF4y2Ba
允许输出GydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
传播百分比GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出电压或交流摆动GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息,请参阅数据表GydF4y2Ba

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磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
T = 3,000 CTGydF4y2Ba
x = 1,500ctGydF4y2Ba
Y = 250 CTGydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • 高频(115至137兆赫)GydF4y2Ba
  • ±20 ppmGydF4y2Ba
  • 汽车温度。(-40至125°C)GydF4y2Ba
  • 最小的包装(2.0 x 1.6 mmxmm)GydF4y2Ba
    • 更好的时序边缘,适用于空间受限,户外和高温。操作环境GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低的GydF4y2BaGGydF4y2Ba-灵敏度GydF4y2Ba

  • 改善系统在振动下的性能GydF4y2Ba
  • 更简单的载体丢弃测试合规性GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50,000人GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性GydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力量GydF4y2Ba

  • 更慢的上升/下降时间,最大限度地减少来自振荡器的电磁干扰GydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载和消除额外的时间组件降低成本GydF4y2Ba

5个行业标准套餐GydF4y2Ba

  • 100%滴入式替换石英XOGydF4y2Ba

超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • 工业传感器GydF4y2Ba
  • 伺服电机GydF4y2Ba
  • 工业控制系统GydF4y2Ba
  • 高温。网络齿轮GydF4y2Ba
  • 医疗视频摄像机GydF4y2Ba
  • 资产追踪GydF4y2Ba
  • 精密GNSS.GydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境冲突矿物质政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境政策环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - 汽车GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
西泰环保合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba

Eval董事会GydF4y2Ba(GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba)GydF4y2Ba- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)GydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

时光机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性等GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据GydF4y2Ba

2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050 4针GydF4y2Ba-预览包与QFN 3D步骤模型GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT8919 125MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8919 133 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 1.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8919(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8919(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8919(LVCMOS,3.0 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 3.3 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 2.25至3.63 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
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PCI使用相位噪声分析仪表达REFCLK抖动符合性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
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SINIME MEMS振荡器 - 彻底改变定时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
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环境机器II - 第2部分:如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
QFN 2016 4-PINSGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 2520 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 3225 4-PinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 5032 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 7050 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
工业时序解决方案GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
Sentime Mems First工人GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
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AN10071计算领带电信应用因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主导来源GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba