sit8920bm - 12 - 33 - e - 24.000000

sit8920bm - 12 - 33 - e - 24.000000

设备类型 汽车&高临时振荡器
频率
24 MHz
频率稳定度(ppm)
25
操作温度范围(°C)。
-55年到125年
输出类型
LVCMOS
电源电压(V)
3.30
包大小(毫米x毫米)
2.5 x2.0
包高度(毫米)
0.75
输出驱动力量*
默认的
功能销
允许输出
拉力范围(PPM PR)
n /一个
传播比例
n /一个
摇摆不定的选择
n /一个
DC-Coupled输出卷或交流
n /一个
DC-Coupled输出VOH
n /一个
RoHS
是的

有关详细信息,请参阅数据表

现在购买

磁带和卷轴选项
D = 3000 ct
E = 1000
G = 250 ct

可配置的特性集

  • 任何频率介于1和110 MHz的6位小数精度
  • 稳定低±20 ppm
  • 工业或商业临时延长。
  • 1.8 V和2.5 V至3.3 V电源电压
  • 定制规范优化系统性能
  • 对于很多设计,使用相同的基础设备,减少资格的需要

低功耗

  • 0.6典型µA待机电流(1.8 V)
  • 3.5 mA典型的有功电流(1.8 V)
  • 在便携式应用程序延长电池的寿命
  • 环保系统的同时降低功耗

FlexEdge™可配置的驱动力量

  • 缓慢上升/下降时间最小化EMI的振荡器
  • 节省成本通过驱动多个负载和消除额外的时间组件

超快的交货时间(4 - 6周)

  • 降低库存成本
  • 缓解短缺风险

  • 石油勘探钻井
  • 功率放大器
  • 工业汽车
  • 压力米
  • 航空航天设备
  • 地热能源设备

狭窄:

文档名称 类型
4 l-qfn包成分报告(SiT160X、SiT800X SiT1618, SiT89XX) 成分报告
电子行业公民联盟模板 其他质量文件
生产笔记SiTime产品 其他质量文件
SiTime冲突金属宣言 其他质量文件
SiTime环境政策 其他质量文件
SiTime保修日期代码 其他质量文件
冲突矿产报告模板 其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品) 可靠性报告
4 l-qfn包资格报告——凸版印刷 可靠性报告
4 l-qfn包资格,ASE报告 可靠性报告
4 l-qfn包资格报告——先进 可靠性报告
SiT16XX SiT89XX高临时产品合格报告 可靠性报告
台积电晶片SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
塔爵士晶片SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4 l / 6 l-qfn包均匀材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
博世晶片SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
WLCSP包均匀材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
SiTime环保合规声明 RoHS /实现/绿色证书
Compliance-EU RoHS证书声明 RoHS /实现/绿色证书

Eval董事会(接触SiTime)- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)

频率斜率(dF / dT)计算器——计算频率斜率温度

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可靠性的计算器-保持健康/平均无故障时间数据的各种操作条件

2016年4-Pins|2520年4-Pins|3225年4-Pins|5032年4-Pins|7050年4-Pins——预览包QFN 3 d模型

狭窄:

资源名称 类型
SiT8920 65 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 32 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 33 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 36 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 40 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 48 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 50 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 54 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 60 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 62.5 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 66 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 72 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 74.25 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 74.176 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 74.175824 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 75 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 77.76 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 100 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 7.3728 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 8.192 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 8 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 9.8304 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 9.84375 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 11.0592 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 12.288 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 12 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 13.52127 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 13.225625 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 13兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 14.7456 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 14.31818 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 15 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 16.384 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 16兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 18.432 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 19.6608 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 20 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 22.1184 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 24.56 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 24.576 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 24 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 25兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 26 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 27 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 29.4912 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 30 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.0 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.3 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.25到3.63 V) 宜必思模型
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QFN 2520 4-Pins 3 d步模型
QFN 3225 4-Pins 3 d步模型
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