sit8920bm - 13 - 33 - e - 25.000000

sit8920bm - 13 - 33 - e - 25.000000

设备类型 汽车&高临时振荡器
频率
25兆赫
频率稳定度(ppm)
50
操作温度范围(°C)。
-55年到125年
输出类型
LVCMOS
电源电压(V)
3.30
包大小(毫米x毫米)
2.5 x2.0
包高度(毫米)
0.75
输出驱动力量*
默认的
功能销
允许输出
拉力范围(PPM PR)
n /一个
传播比例
n /一个
摇摆不定的选择
n /一个
DC-Coupled输出卷或交流
n /一个
DC-Coupled输出VOH
n /一个
RoHS
是的

有关详细信息,请参阅数据表

现在购买

磁带和卷轴选项
D = 3000 ct
E = 1000
G = 250 ct

可配置的特性集

  • 任何频率介于1和110 MHz的6位小数精度
  • 稳定低±20 ppm
  • 工业或商业临时延长。
  • 1.8 V和2.5 V至3.3 V电源电压
  • 定制规范优化系统性能
  • 对于很多设计,使用相同的基础设备,减少资格的需要

低功耗

  • 0.6典型µA待机电流(1.8 V)
  • 3.5 mA典型的有功电流(1.8 V)
  • 在便携式应用程序延长电池的寿命
  • 环保系统的同时降低功耗

FlexEdge™可配置的驱动力量

  • 缓慢上升/下降时间最小化EMI的振荡器
  • 节省成本通过驱动多个负载和消除额外的时间组件

超快的交货时间(4 - 6周)

  • 降低库存成本
  • 缓解短缺风险

  • 石油勘探钻井
  • 功率放大器
  • 工业汽车
  • 压力米
  • 航空航天设备
  • 地热能源设备

狭窄:

文档名称 类型
4 l-qfn包成分报告(SiT160X、SiT800X SiT1618, SiT89XX) 成分报告
电子行业公民联盟模板 其他质量文件
生产笔记SiTime产品 其他质量文件
SiTime冲突矿产政策 其他质量文件
SiTime环境政策 其他质量文件
SiTime保修日期代码 其他质量文件
冲突矿产报告模板 其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品) 可靠性报告
4 l-qfn包资格报告——凸版印刷 可靠性报告
4 l-qfn包资格,ASE报告 可靠性报告
4 l-qfn包资格报告——先进 可靠性报告
SiT16XX SiT89XX高临时产品合格报告 可靠性报告
台积电晶片SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
塔爵士晶片SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4 l / 6 l-qfn包均匀材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
博世晶片SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
WLCSP包均匀材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
SiTime环保合规声明 RoHS /实现/绿色证书
Compliance-EU RoHS证书声明 RoHS /实现/绿色证书

Eval董事会(接触SiTime)- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)

频率斜率(dF / dT)计算器——计算频率斜率温度

时间机器II程序员——项目的频率,电压,稳定&更多

可靠性的计算器-保持健康/平均无故障时间数据的各种操作条件

2016年4-Pins|2520年4-Pins|3225年4-Pins|5032年4-Pins|7050年4-Pins——预览包QFN 3 d模型

狭窄:

资源名称 类型
SiT8920 65 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 32 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 33 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 36 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 40 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 48 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 50 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 54 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 60 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 62.5 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 66 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 72 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 74.25 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 74.176 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 74.175824 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 75 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 77.76 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 100 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 7.3728 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 8.192 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 8 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 9.8304 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 9.84375 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 11.0592 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 12.288 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 12 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 13.52127 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 13.225625 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 13兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 14.7456 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 14.31818 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 15 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 16.384 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 16兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 18.432 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 19.6608 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 20 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 22.1184 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 24.56 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 24.576 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 24 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 25兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 26 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 27 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 29.4912 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 30 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.0 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.3 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.25到3.63 V) 宜必思模型
硅MEMS可靠性和弹性 演讲
性能比较:硅MEMS诗句石英振荡器 演讲
MEMS振荡器增强时钟性能在工业和Hi-Reliability应用程序 演讲
如何测量时钟抖动的精密计时程序 演讲
如何在精密测量相位抖动和相位噪声时间应用 演讲
如何获得即时振荡器SiTime新领域的程序员吗 演讲
硅MEMS vs石英供应链 演讲
提高性能与高温工业设备,超强劲的MEMS振荡器 白皮书
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处 白皮书
MEMS时机提高触屏设备的解决方案 白皮书
现场可编程定时医疗应用解决方案 白皮书
Ultra-robust MEMS时机解决方案提高仪表应用的性能和可靠性 白皮书
MEMS振荡器改善电机控制应用程序的可靠性和系统性能 白皮书
MEMS-Based石英谐振器和振荡器现在取代 演讲
联系MEMS:机电接口 演讲
现场可编程振荡器数据表 数据表
SiT8920数据表 数据表
时间机器II MEMS振荡器的程序员 产品简介
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法 应用笔记
AN10002终止建议单端驱动单个或多个负载振荡器 应用笔记
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドライン 应用笔记
AN10006最好的设计和布局实践 应用笔记
AN10007时钟抖动的定义和测量方法 应用笔记
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法 应用笔记
SiTime発振器の信頼性計算方法 技术论文
AN10025可靠性计算SiTime振荡器 应用笔记
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法 应用笔记
AN10028探测振荡器输出 应用笔记
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較 技术论文
电磁敏感性比较MEMS和Quartz-based振荡器 技术论文
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動) 技术论文
冲击和振动的比较MEMS和Quartz-based振荡器 技术论文
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドライン 应用笔记
AN10033频率测量振荡器的指导方针 应用笔记
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性 技术论文
弹性和硅MEMS振荡器的可靠性 技术论文
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術 技术论文
SiTime MEMS第一™和EpiSeal™流程 技术论文
使用一个振荡器的八大理由,而不是一个晶体谐振器 白皮书
MEMS谐振器的优势——第2部分MEMS谐振器的工作原理betway开户官网 演讲
如何测量精度的长期抖动和Cycle-to-cycle抖动时间应用 演讲
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术 演讲
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法 应用笔记
SC-AN10033振荡器频率测量指南 应用笔记
AN10062振荡器的相位噪声测量指南 应用笔记
相位噪声测量教程 视频
PCI Express Refclk抖动合规使用相位噪声分析仪 演讲
MEMS的优势时间参数 视频
SiTime MEMS振荡器——革新市场时机 视频
SiTime第二时间机器——第1部分:如何安装振荡器的编程软件 视频
SiTime第二时间机器——第2部分:如何项目现场可编程振荡器 视频
QFN 2016 4-Pins 3 d步模型
QFN 2520 4-Pins 3 d步模型
QFN 3225 4-Pins 3 d步模型
QFN 5032 4-Pins 3 d步模型
QFN 7050 4-Pins 3 d步模型
时机工业解决方案 小册子和传单
SiTime MEMS第一工艺 技术论文
AN10073如何建立一个实时示波器测量抖动 应用笔记
AN10071计算领带波峰因素电信应用程序 应用笔记
AN10070计算领带波峰因素Non-telecom应用程序 应用笔记
AN10072确定相位噪声的主要来源,通过检查 应用笔记
AN10074把示波器噪声从均方根抖动测量 应用笔记