sit8920bm - 22 - 18 - 24.000000

sit8920bm - 22 - 18 - 24.000000

设备类型 汽车和高温振荡器
频率
24 MHz
频率稳定性(ppm)
25
工作温度。范围(°C)
-55到125
输出类型
LVCMOS
电源电压(V)
1.80
包装尺寸(mm x mm)
3.2 x2.5
包装高度(mm)
0.75
输出驱动强度*
默认的
功能销
备用
拉力范围(PPM PR)
N/A
传播比例
N/A
摇摆不定的选择
N/A
直流耦合输出VOL或交流摆动
N/A
直流耦合输出VOH
N/A
RoHS
是的

*详见数据表

立即购买

磁带和卷轴选项
D = 3,000 ct
E = 1,000
G = 250 ct

可配置的特性集

  • 1到110兆赫之间的任何频率,精度为小数点后6位
  • 稳定性低至±20ppm
  • 工业或扩展的商业温度。
  • 电源电压1.8 V或2.5 V ~ 3.3 V
  • 自定义规格,以优化系统性能
  • 多种设计使用相同的基础设备,减少认证需求

低功耗

  • 0.6 μ A典型待机电流(1.8 V)
  • 3.5 mA典型有源电流(1.8 V)
  • 在便携式应用中延长电池寿命
  • 为绿色系统减少电力消耗

FlexEdge™可配置驱动器强度

  • 较慢的上升/下降时间,使振荡器的EMI最小化
  • 通过驱动多个负载和消除额外的定时组件来节省成本

超快交货时间(4 - 6周)

  • 减少库存开销
  • 减少短缺风险

  • 石油勘探钻探
  • 功率放大器
  • 工业汽车
  • 压力米
  • 航空航天设备
  • 地热能设备

狭窄:

文档名称 类型
4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX) 成分报告
电子工业公民联盟模板 其他质量文件
四泰产品制造说明 其他质量文件
SiTime冲突金属声明 其他质量文件
四泰环保政策 其他质量文件
四泰科技日期代码保证 其他质量文件
冲突矿产报告模板 其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品) 可靠性报告
4L-QFN包装鉴定报告- UTAC 可靠性报告
4L-QFN包装合格报告- ASE 可靠性报告
4L-QFN包装确认报告- Carsem 可靠性报告
SiT16XX, SiT89XX高温产品合格报告 可靠性报告
TSMC晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
Tower Jazz Wafer SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4L/6L-QFN包装均质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
BOSCH晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
WLCSP包装均质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
四泰环境合规声明 RoHS /实现/绿色证书
符合欧盟RoHS声明证书 RoHS /实现/绿色证书

Eval董事会接触SiTime- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)

频率斜率(dF/dT)计算器-计算频率斜率随温度的变化

时间机器II程序员-程序频率,电压,稳定性等

可靠性的计算器获取各种工况下的FIT/MTBF数据

2016年4-Pins|2520年4-Pins|3225年4-Pins|5032年4-Pins|7050年4-Pins-预览包与QFN 3D步骤模型

狭窄:

资源名称 类型
SiT8920 65MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 32MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 33MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 36MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 40MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 48MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 50MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 54MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 60MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 62.5MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 66MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 72MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 74.25MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 74.176MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 74.175824MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 75MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 77.76MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 100MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 7.3728MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 8.192MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 8MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 9.8304MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 9.84375MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 11.0592MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 12.288MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 12MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 13.52127MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 13.225625MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 13MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 14.7456MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 14.31818MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 15MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 16.384MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 16MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 18.432MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 19.6608MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 20MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 22.1184MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 24.56MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 24.576MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 24MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 25MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 26MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 27MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 29.4912MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 30MHz LVCMOS 频率测试报告
SiT8920 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.0 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.3 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.25至3.63 V) 宜必思模型
硅MEMS可靠性和弹性 演讲
性能比较:硅MEMS和石英振荡器 演讲
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中增强时钟性能 演讲
如何测量时钟抖动在精密计时应用 演讲
如何测量相位抖动和相位噪声在精密计时应用 演讲
如何使用SiTime的新现场编程器获得即时振荡器 演讲
硅MEMS vs石英供应链 演讲
利用高温、超鲁棒MEMS振荡器提高工业设备性能 白皮书
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处 白皮书
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备 白皮书
医疗应用现场可编程定时解决方案 白皮书
超健壮的MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性 白皮书
MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能 白皮书
基于mems的谐振器和振荡器正在取代石英 演讲
接触MEMS:机电接口 演讲
现场可编程振荡器数据表 数据表
SiT8920数据表 数据表
时间机器II MEMS振荡器编程器 产品简介
J-an10002シングルエンド発振器の推奨終端方法 应用笔记
AN10002单端振荡器驱动单或多负载的终止建议 应用笔记
J-an10006発振器のpcbデザ▪▪ンのガ▪▪ドラ▪▪ン 应用笔记
AN10006最佳设计和布局实践 应用笔记
时钟抖动的定义和测量方法 应用笔记
J-an10007クロックジッタの定義と測定方法 应用笔记
SiTime発振器の信頼性計算方法 技术论文
SiTime振荡器的可靠性计算 应用笔记
J-an10028プロ,ブを使用した発振器の出力波形計測方法 应用笔记
AN10028探测振荡器输出 应用笔记
memsおよび水晶ベ,ス発振器の電磁場感受率の比較 技术论文
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较 技术论文
mems発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動) 技术论文
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较 技术论文
J-an10033発振器の周波数測定ガaapl . exeドラaapl . exeン 应用笔记
AN10033振荡器频率测量指南 应用笔记
シリコンmems発振器の耐性および信頼性 技术论文
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性 技术论文
SiTimeのMEMS First™プロセス技術 技术论文
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺 技术论文
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个原因 白皮书
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网 演讲
如何测量长期抖动和周期到周期抖动在精密计时应用 演讲
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术 演讲
Sc-an10007时钟抖动定义与测量方法 应用笔记
Sc-an10033振荡器频率测量指南 应用笔记
相位噪声测量教程 视频
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动遵从性 演讲
MEMS定时参数的优势 视频
SiTime MEMS振荡器-革命性的定时市场 视频
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件 视频
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器 视频
QFN 2016 4针 三维阶梯模型
QFN 2520四脚 三维阶梯模型
QFN 3225 4脚 三维阶梯模型
QFN 5032 4脚 三维阶梯模型
QFN 7050 4针 三维阶梯模型
工业定时解决方案 小册子和传单
SiTime MEMS First工艺 技术论文
如何设置实时示波器来测量抖动 应用笔记
AN10071计算电信应用的TIE波峰因子 应用笔记
AN10070计算非电信应用的TIE波峰因子 应用笔记
通过检查确定相位噪声的主要来源 应用笔记
AN10074从RMS抖动测量中去除示波器噪声 应用笔记