SIT8921BM-22-33S-128.000000gydF4y2Ba

SIT8921BM-22-33S-128.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
128兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
25.gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba
-55到125.gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
lvcmos.gydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
封装尺寸(mm x mm)gydF4y2Ba
3.2 x2.5gydF4y2Ba
包装高度(mm)gydF4y2Ba
0.75gydF4y2Ba
输出驱动强度*gydF4y2Ba
默认gydF4y2Ba
特征PIN.gydF4y2Ba
备用gydF4y2Ba
拉伸范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N / A.gydF4y2Ba
传播百分比gydF4y2Ba
N / A.gydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N / A.gydF4y2Ba
直流耦合输出Vol或AC SwinggydF4y2Ba
N / A.gydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
N / A.gydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详情见数据表gydF4y2Ba

立即购买gydF4y2Ba

在本网站上的订单只能在美国内部发货。请联系您首选gydF4y2Ba环境经销商gydF4y2Ba对于美国外面的订单gydF4y2Ba
也购买了gydF4y2Ba
单位价格gydF4y2Ba
单位数gydF4y2Ba 单位成本gydF4y2Ba
1-9gydF4y2Ba $ 4.40.gydF4y2Ba
10-49gydF4y2Ba $ 4.18gydF4y2Ba
50 - 99gydF4y2Ba 3.96美元gydF4y2Ba
100-200gydF4y2Ba $ 3.63gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • 高频(119至137兆赫)gydF4y2Ba
  • ±20 ppm.gydF4y2Ba
  • 军用温度范围(-55至125°C)gydF4y2Ba
  • 最小封装(2.0 x 1.6 mm x mm)gydF4y2Ba
    • 最典型的稳定性和温度。空间受限环境范围gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低的gydF4y2BaggydF4y2Ba-灵敏度gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境中没有性能下降gydF4y2Ba

50,000.gydF4y2BaggydF4y2Ba震惊和70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动gydF4y2Ba

  • 坚不可摧gydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化电磁干扰,减少对其他系统的干扰gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险gydF4y2Ba

  • 石油勘探钻探gydF4y2Ba
  • 功率放大器gydF4y2Ba
  • 工业电机gydF4y2Ba
  • 压力表gydF4y2Ba
  • 航空航天设备gydF4y2Ba
  • 地热能设备gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN包组合报告(SIT160x,SIT800x,SIT1618,SIT89xx)gydF4y2Ba 组成报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境政策环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime对日期代码的保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装合格报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - 汽车gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
合格证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

eval委员会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)gydF4y2Ba

频率斜率(DF / DT)计算器gydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba- 程序频率,电压,稳定性和更多gydF4y2Ba

可靠性计算器gydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520 4针gydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225 4针gydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050 4针gydF4y2Ba- 使用QFN 3D步骤模型预览包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SIT8921 125MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8921 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8921(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8921 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8921 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SIT8921(LVCMOS,3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8921 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SIT8921(LVCMOS,2.25至3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS经验石英振荡器gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的时钟抖动gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新现场程序员gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
提高高温,超强MEMS振荡器的工业设备的性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改善触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超强鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用中的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高可靠性和系统性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
与MEMS联系:机电接口gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT8921数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器的终止建议,驱动单个或多个负载gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006仪器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタクロックジッタの定义と方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
距离浮气器函数计算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10025恒化振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振の电阻场感受率の比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033仪器の周波数量ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个理由gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
SC-AN10007时动词定义与送量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动顺应性gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
MEMS时序的优点 - 参数gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革新时机市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
Sentime的时间机器II - 第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何对现场可编程振荡器进行编程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 2520 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 3225 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 5032 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 7050 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
工业时序解决方案gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
Sentime Mems First工人gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主导来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从RMS抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba