SIT8921BM-32-33N-127.872000GydF4y2Ba

数据表GydF4y2Ba
所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年GydF4y2Ba

SIT8921BM-32-33N-127.872000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
127.872兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba
25.GydF4y2Ba
操作温度。范围（°C）GydF4y2Ba
-55到125.GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
LVCMOSGydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
封装尺寸（mm x mm）GydF4y2Ba
5.0 x3.2GydF4y2Ba
包高度(毫米)GydF4y2Ba
0.75GydF4y2Ba
输出驱动强度*GydF4y2Ba
默认GydF4y2Ba
特征PIN.GydF4y2Ba
没有连接GydF4y2Ba
拉伸范围（PPM PR）GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
传播比例GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
直流耦合输出Vol或AC SwingGydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息，请参阅数据表GydF4y2Ba

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磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
T = 3,000 CTGydF4y2Ba
x = 1,500ctGydF4y2Ba
Y = 250 ctGydF4y2Ba
  • 所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年GydF4y2Ba
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    所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年GydF4y2Ba

  • SiT8921销作业GydF4y2Ba
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    SiT8921销作业GydF4y2Ba

  • SiT8921框图GydF4y2Ba
    放大GydF4y2Ba

    SiT8921框图GydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • 高频（119至137 MHz）GydF4y2Ba
  • ±20 ppm.GydF4y2Ba
  • 军用温度范围（-55至125°C）GydF4y2Ba
  • 最小的包装（2.0 x 1.6 mm x mm）GydF4y2Ba
    • 最典型的稳定性和温度。空间受限环境范围GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低GydF4y2BaGGydF4y2Ba灵敏GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中没有性能下降GydF4y2Ba

50,000.GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊和70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动GydF4y2Ba

  • 坚不可摧GydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他系统的干扰GydF4y2Ba

超快速的交换时间（4至6周）GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 石油勘探钻探GydF4y2Ba
  • 功率放大器GydF4y2Ba
  • 工业电机GydF4y2Ba
  • 压力米GydF4y2Ba
  • 航空航天设备GydF4y2Ba
  • 地热能源设备GydF4y2Ba

狭窄：GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN包组合报告（SIT160x，SIT800x，SIT1618，SIT89xx）GydF4y2Ba 组成报告GydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境冲突金属宣言GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- CarsemGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SIT16XX，SIT89XX高温产品资格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装材料及SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
环境合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

eval委员会GydF4y2Ba（GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba）GydF4y2Ba- SIT6095（2016）|SIT6081（2520）|SIT6082（3225）|SIT6083（5032）|SIT6084（7050）GydF4y2Ba

频率斜率（DF / DT）计算器GydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

时间机器II程序员GydF4y2Ba- 程序频率，电压，稳定性和更多GydF4y2Ba

可靠性的计算器GydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据GydF4y2Ba

2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050 4针GydF4y2Ba- 使用QFN 3D步骤模型预览包GydF4y2Ba

狭窄：GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT8921 125MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8921 133MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT8921 (LVCMOS, 1.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8921（LVCMOS，2.5 V）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8921（LVCMOS，2.8 V）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8921（LVCMOS，3.0 V）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8921（LVCMOS，3.3 V）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8921（LVCMOS，2.25至3.63 V）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能比较：硅MEMS经验石英振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的时钟抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何使用Sentime的新现场编程器获得即时振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
用高温、超鲁棒MEMS振荡器提高工业设备的性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供了益处GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SIT8921数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
Time Machine II MEMS振荡器程序员GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンドシングルエンド器材のの推奨方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器的终止建议，驱动单个或多个负载GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10006仪器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
距离浮气器函数计算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブプローブ使使使しししたのの波形波形计测方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器材と水晶仪器のの比较（耐冲撃と移动）GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SITIMEのMEMS FIRST™プロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
stime的MEMS First™和Episeal™流程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个理由GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡频率销量江南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
PCI使用相位噪声分析仪表达REFCLK抖动符合性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS时序参数的优点GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SINIME MEMS振荡器 - 彻底改变定时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Sentime的时间机器II - 第1部分：如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
环境机器II - 第2部分：如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
QFN 2016 4-PINSGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 3225 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
工业时序解决方案GydF4y2Ba 小册子/飞行员GydF4y2Ba
Sentime Mems First工人GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10071计算领带电信应用因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
通过检验确定相位噪声的主要来源GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba

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