1到110 MHz,宽温度(-55到+125°C) SOT23振荡器gydF4y2Ba

SIT2020B振荡器采用SOT23封装,以获得最佳板级焊点可靠性和低成本,光学gydF4y2Ba董事会级别gydF4y2Ba检查。该设备具有宽频范围,gydF4y2Ba良好的稳定性gydF4y2Ba,以及最短的交货时间gydF4y2Ba工业、医疗、汽车、航空电子和其他高温应用gydF4y2Ba。gydF4y2Ba该器件还具有业界最佳的0.1 PPB / G振动灵敏度,50,000克冲击和70克抗振性。gydF4y2Ba

对于SMD包中的相同设备,请参阅gydF4y2BaSIT8920B.gydF4y2Ba时钟振荡器。gydF4y2Ba

程序振荡器获得即时样本,优化性能,和快速原型|gydF4y2Ba学到更多gydF4y2Ba

查看相关产品:gydF4y2Ba119到137 MHzgydF4y2Ba|gydF4y2BaQFN包装gydF4y2Ba|gydF4y2Ba汽车gydF4y2Ba|gydF4y2Ba汽车和高温阵容gydF4y2Ba

带领SOT23包装,以便最佳板级可靠性,检查和可制造性gydF4y2Ba
振荡器类型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 1到110 MHzgydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20,±25,±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 PS.gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba lvcmos.gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba -55至+125gydF4y2Ba
FlexEdge.gydF4y2BaTM值gydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba
电压电源(V)gydF4y2Ba 1.8,2.5至3.3gydF4y2Ba
包类型(mm²)gydF4y2Ba SOT23(2.9x2.8)gydF4y2Ba
特征gydF4y2Ba 现场可编程,军用温度-55至125°C, SOT23-5gydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20 ppm.gydF4y2Ba
  • -55°C至125°C工作温度范围gydF4y2Ba
  • 小SOT23-5包:gydF4y2Ba
    • 在室外应用的极端温度范围内最佳级别稳定性;gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低的gydF4y2BaggydF4y2Ba-灵敏度gydF4y2Ba

  • 恶劣环境中没有性能下降;gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50,000人gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 坚不可摧;gydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰;gydF4y2Ba

SOT23-5套餐gydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性gydF4y2Ba
  • 简单,低成本,光学,焊接接头的板级检查;gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险gydF4y2Ba

  • 石油勘探钻探gydF4y2Ba
  • 功率放大器gydF4y2Ba
  • 工业电机gydF4y2Ba
  • 压力表gydF4y2Ba
  • 航空航天设备gydF4y2Ba
  • 雷达gydF4y2Ba
  • 航道gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5L-SOT23封装组成报告gydF4y2Ba 组成报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境政策环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime对日期代码的保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5L-SOT23包装合格报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23软件包UTAC可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告 - CAREMgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
合格证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23套装均质材料和SGS报告 - UTACgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SIT6097(2928 SOT23-5)gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba- 程序频率,电压,稳定性和更多gydF4y2Ba

频率斜率(DF / DT)计算器gydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

可靠性计算器gydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据gydF4y2Ba

sot 23 5-pinsgydF4y2Ba3D步骤模型gydF4y2Ba- 预览3D中的振荡器包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SIT2020 7.3728MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 8MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 9.8304MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 9.84375MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 12.288MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 13.52127MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 13.225625MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 14.31818MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 15MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 16MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 18.432MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 22.1184MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 24.56MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 24.576MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 25MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 27MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 30MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 32MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 36MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 50MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 54MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 66MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 72MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 74.25MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 74.176MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 75MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 77.76MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SIT2020(LVCMOS,2.5 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SIT2020(LVCMOS,2.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 2.25 to 3.63 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SIT2020(LVCMOS,3.3 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS经验石英振荡器gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的时钟抖动gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何使用Sentime的新现场编程器获得即时振荡器gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改善触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超强鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用中的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高可靠性和系统性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
与MEMS联系:机电接口gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SIT2020B数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器的终止建议,驱动单个或多个负载gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006仪器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタクロックジッタの定义と方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
距离浮气器函数计算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10025恒化振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振の电阻场感受率の比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033仪器の周波数量ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个理由gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
AN10052 IEEE 1588 ITU-T标准的精密时间协议(PTP)gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10007时动词定义与送量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动顺应性gydF4y2Ba 介绍gydF4y2Ba
MEMS时序的优点 - 参数gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革新时机市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
Sentime的时间机器II - 第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何对现场可编程振荡器进行编程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
sot 23 5-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案(A4)gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
Sentime MEMS时序解决方案(A4)中文gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
工业时序解决方案gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
硅替换石英(日本字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
Sentime Mems First工人gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主导来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba