AEC-Q100振荡器(-55 to +125°C)GydF4y2Ba
SIT8924B是用于汽车和极端温度应用的最可靠和最高质量的AEC-Q100兼容振荡器。该器件在最小的2.0x1中提供最宽的频率范围(1 MHz至110 MHz),优异的稳定性(低至±20 ppm)和最宽的温度范围(-55°C至+ 125°C)的完美组合。Quartz不容易获得6毫米包装。它还具有行业的最佳冲击和抗振性。GydF4y2Ba
SIT8924有五种行业标准包装,因此可以取代石英产品而无需任何设计变化。GydF4y2Ba
程序振荡器以获得即时样本,优化的性能和快速原型|GydF4y2Ba了解更多GydF4y2Ba
查看相关产品:GydF4y2Ba115到137 MHzGydF4y2Ba|GydF4y2BaSOT23-5套餐GydF4y2Ba|GydF4y2Ba坚固耐用GydF4y2Ba|GydF4y2Ba汽车和高温产品线GydF4y2Ba
振荡器类型GydF4y2Ba | XO-SE.GydF4y2Ba |
频率GydF4y2Ba | 1到110 MHzGydF4y2Ba |
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba | ±20±25±30±50GydF4y2Ba |
阶段抖动(RMS)GydF4y2Ba | 1.3 psGydF4y2Ba |
输出类型GydF4y2Ba | LVCMOSGydF4y2Ba |
工作温度范围(°C)GydF4y2Ba | -40至+85,-40至+105,-40至+125,-55至+125GydF4y2Ba |
FlexEdgeGydF4y2BaTMGydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba | 是的GydF4y2Ba |
电压电源(V)GydF4y2Ba | 1.8,2.5至3.3GydF4y2Ba |
²包类型(毫米)GydF4y2Ba | 2.0x1.6,2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0GydF4y2Ba |
特性GydF4y2Ba | 现场可编程,高温125°C, AEC-Q100GydF4y2Ba |
可用性GydF4y2Ba | 生产GydF4y2Ba |
-
五个行业标准脚印,适用于2016年,适用于所有频率,电压和稳定性GydF4y2Ba
-
SiT8924销作业GydF4y2Ba
-
SiT8924框图GydF4y2Ba
独特的组合GydF4y2Ba
- ±20 ppm频率稳定性GydF4y2Ba
- 超过-55到+125°C的汽车和军用温度范围GydF4y2Ba
- 2.0 x 1.6 mm封装:GydF4y2Ba
- 汽车和/或空间受限的操作环境最佳时序余量GydF4y2Ba
0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低GydF4y2BaGGydF4y2Ba灵敏GydF4y2Ba
- 高振动条件下的最佳稳健性GydF4y2Ba
70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和10,000人GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba
- 恶劣环境下的最佳系统可靠性GydF4y2Ba
可配置的驱动力和升高/下降时间GydF4y2Ba
- 优化EMI以减少对其他子系统的干扰GydF4y2Ba
5个行业标准套餐GydF4y2Ba
- 100%替换石英XOGydF4y2Ba
超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba
- 减少库存开销GydF4y2Ba
- 减轻短缺风险GydF4y2Ba
- 信息娱乐GydF4y2Ba
- ADAS电脑GydF4y2Ba
- 相机GydF4y2Ba
- 雷达和丽尔GydF4y2Ba
- 汽车以太网GydF4y2Ba
- 动力总成GydF4y2Ba
- 黑匣子GydF4y2Ba
- 汽车晶体替代GydF4y2Ba
- 国防和航空航天GydF4y2Ba
- 无线充电器GydF4y2Ba
- SIT8924 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 9.8304MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 13.52127MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT8924 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT8924 15 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT8924 18.432 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT8924 20 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT8924 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 26MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 27MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 30MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 33MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 40MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 48MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 50MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 60MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT8924 72 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT8924 74.25 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT8924 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT8924 77.76MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
文档名称GydF4y2Ba | 类型GydF4y2Ba |
---|---|
4L-QFN包组合报告(SIT160x,SIT800x,SIT1618,SIT89xx)GydF4y2Ba | 成分报告GydF4y2Ba |
电子产业公民联盟模板GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
SiTime产品制造笔记GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
环境冲突金属宣言GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
SiTime环境政策GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
日期代码的境内保修GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
距离振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
4L-QFN包装合格报告- UTACGydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
4L-QFN封装资格报告 - ASEGydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
4L-QFN封装资格报告 - 汽车GydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告GydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
TSMC晶圆SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
环境合规声明GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
Eval董事会GydF4y2Ba(GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba)GydF4y2Ba- SIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)GydF4y2Ba
频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba
时间机器II程序员GydF4y2Ba- 程序频率,电压,稳定性和更多GydF4y2Ba
可靠性的计算器GydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据GydF4y2Ba
2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050 4针GydF4y2Ba- 使用QFN 3D步骤模型预览包GydF4y2Ba