115至137 MHz,宽温度AEC-Q100振荡器(-55至+ 125°C)gydF4y2Ba

SIT8925B是最可靠,最优质的AEC-Q100振荡器,用于高频汽车和其他极限温度应用。该器件提供了高频率(高达137 MHz),优异的稳定性(±20ppm)和最宽的温度范围(-55°C至+125°C)的完美组合,在最小的2.0x1.6 mm封装中,这不是可从石英中获得。该设备还具有业界最佳的冲击和抗振性。gydF4y2Ba

SIT8925采用五个行业标准封装,因此取代了石英产品而无需任何设计变化。gydF4y2Ba

程序振荡器获得即时样本,优化性能,和快速原型|gydF4y2Ba学到更多gydF4y2Ba

查看相关产品:gydF4y2Ba1到110 MHzgydF4y2Ba|gydF4y2BaSOT23-5套餐gydF4y2Ba|gydF4y2Ba加固的gydF4y2Ba|gydF4y2Ba汽车和高温阵容gydF4y2Ba

所有频率、电压和稳定性的五个行业标准足迹小至2016年gydF4y2Ba
振荡器类型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 115至137兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20,±25,±30,±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 PS.gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba lvcmos.gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba -40 to +85, -40 to +105, -40 to +125, -55 to +125gydF4y2Ba
FlexEdge.gydF4y2BaTM值gydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba
电压电源(V)gydF4y2Ba 1.8,2.5至3.3gydF4y2Ba
包类型(mm²)gydF4y2Ba 2.0 × 1.6, 2.5 × 2.0, 3.2 × 2.5, 5.0 × 3.2, 7.0 × 5.0gydF4y2Ba
特征gydF4y2Ba 场可编程,高温125°C,AEC-Q100gydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20ppm频率稳定性gydF4y2Ba
  • 超过55到+ 125°C汽车温度。范围gydF4y2Ba
  • 在2.0 x 1.6 mm封装:gydF4y2Ba
    • 汽车和/或空间受限的操作环境最佳时序余量gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低的gydF4y2BaggydF4y2Ba-灵敏度gydF4y2Ba

  • 在高振动条件下的最佳鲁棒性gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10,000人gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 恶劣环境中最好的系统可靠性gydF4y2Ba

可配置的驱动力和升高/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%替换石英XOgydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba

  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • ADAS计算机gydF4y2Ba
  • 相机gydF4y2Ba
  • 雷达和激光雷达gydF4y2Ba
  • 汽车以太网gydF4y2Ba
  • 动力总成gydF4y2Ba
  • 黑盒gydF4y2Ba
  • 国防和航空航天gydF4y2Ba
  • 汽车XTAL替代品gydF4y2Ba
  • 无线充电器gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN包组合报告(SIT160x,SIT800x,SIT1618,SIT89xx)gydF4y2Ba 组成报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境政策环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime对日期代码的保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装合格报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装合格报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
合格证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

eval委员会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)gydF4y2Ba

频率斜率(DF / DT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba- 程序频率,电压,稳定性和更多gydF4y2Ba

可靠性计算器gydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520 4针gydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225 4针gydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050 4针gydF4y2Ba- 使用QFN 3D步骤模型预览包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8925 125 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8925 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8925(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SIT8925(LVCMOS,2.25至3.63 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
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AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 2520 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 3225 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 5032 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 7050 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
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