115至137 MHz,宽温度AEC-Q100 SOT23振荡器gydF4y2Ba

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SiT2025B是最可靠和最高质量的AEC-Q100兼容的SOT23振荡器,适用于汽车和极端温度应用。该设备提供了高频范围(高达137 MHz),卓越的稳定性(±20 ppm)和极端温度范围(-55至125°C)的完美组合。它还具有业界最好的0.1 ppb/g振动灵敏度,10,000 g冲击和70 g抗振动。gydF4y2Ba

小型SOT23-5封装提供了最好的板级焊点可靠性和简单、低成本、仅光学的板级焊点检测。gydF4y2Ba

程序振荡器得到即时样品,优化的性能,和快速原型|gydF4y2Ba了解更多gydF4y2Ba

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含铅SOT23封装,最佳板级可靠性,检测和制造gydF4y2Ba
振荡器类型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 115至137兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20±25±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 psgydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba LVCMOSgydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba -40至85(3级),-40至105(2级),-40至125(1级),-55至125 (Ext. Cold 1级)gydF4y2Ba
FlexEdgegydF4y2BaTMgydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba
供电电压(V)gydF4y2Ba 1.8、2.5至3.3gydF4y2Ba
²包类型(毫米)gydF4y2Ba SOT23 (2.9 x2.8)gydF4y2Ba
特性gydF4y2Ba 现场可编程,高温125°C, AEC-Q100, SOT23-5gydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • 高达137兆赫gydF4y2Ba
  • ±20 ppmgydF4y2Ba
  • -55到125°CgydF4y2Ba
    • 在极端温度范围内的最佳稳定性是汽车和其他高可靠性应用的理想选择gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下不降低性能gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 不可毁灭的gydF4y2Ba

可配置的上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化电磁干扰,减少对任何子系统的干扰gydF4y2Ba

SOT23-5包gydF4y2Ba

  • 最佳的板级焊点可靠性gydF4y2Ba
  • 简单,低成本,仅光学,板级焊点检测gydF4y2Ba

超快交货时间(4至6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 发动机和动力系统gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5L-SOT23包装成分报告gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突矿产政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime日期代码担保gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5L-SOT23包装鉴定报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- CarsemgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装同质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
西泰环保合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- UTACgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SOT23封装UTAC可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SiT6097 (2928 SOT23-5)gydF4y2Ba

时光机器II程序员gydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性等gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba

说23日5针gydF4y2Ba三维步模型gydF4y2Ba-在3D预览振荡器包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2025 125 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2025 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2025 (LVCMOS, 2.25至3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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检测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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IEEE 1588 ITU-T标准中的PTP (Precision Time Protocol)gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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计算非电信应用的TIE峰值因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检验确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从有效值抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba