1至110 MHz,宽温度振荡器(-55至+ 125°C)

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SiT8920B是市场上最强大和可靠的振荡器,0.1 ppb/g振动灵敏度(g灵敏度),50,000 g冲击和70 g抗振动和5亿小时MTBF。此外,该设备提供了高频率(高达110 MHz),最佳稳定性(±20 ppm),军事温度范围(-55°C至125°C)和小型封装(2.0 × 1.6 mmxmm)的完美组合,这是石英无法提供的。

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五个行业标准脚印,适用于2016年,适用于所有频率,电压和稳定性
振荡器类型 XO-SE
频率 1 ~ 110 MHz
频率稳定度(ppm) ±20±25±50
相位抖动(rms) 1.3 ps
输出类型 LVCMOS
工作温度范围(°C) -55 + 125
FlexEdgeTM上升/下降时间 是的
电压电源(V) 1.8、2.5至3.3
²包类型(毫米) 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0
特性 现场可编程,军用温度-55至125°C
可用性 生产

可配置的特性集

  • 1到110兆赫的任何频率,精度为6位小数点
  • 稳定性低至±20ppm
  • 工业或扩展商业温度。
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压
  • 为优化系统性能定制规格
  • 在许多设计中使用相同的基础装置,减少质量要求

低功耗

  • 典型待机电流(1.8 V)
  • 3.5 mA典型的活性电流(1.8 V)
  • 在便携式应用程序中延长电池寿命
  • 降低绿色系统的功耗

FlexEdge™可配置驱动强度

  • 更慢的上升/下降时间,最大限度地减少来自振荡器的电磁干扰
  • 通过驱动多个负载和消除额外的时间组件来节省成本

超快交货时间(4至6周)

  • 降低库存成本
  • 减少短缺风险

  • 石油勘探钻井
  • 功率放大器
  • 工业汽车
  • 压力表
  • 航空航天设备
  • 地热能源设备

狭窄:

文档名称 类型
4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX) 成分报告
电子行业公民联盟模板 其他质量文件
SINTIME产品的制造票据 其他质量文件
SiTime冲突矿产政策 其他质量文件
环境政策环境政策 其他质量文件
SiTime日期代码担保 其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品) 可靠性报告
4L-QFN包装资格报告 - UTAC 可靠性报告
4L-QFN包装确认报告- ASE 可靠性报告
4L-QFN包装鉴定报告- Carsem 可靠性报告
台积电晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
Tower Jazz Wafer SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
BOSCH Wafer SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
WLCSP包装同质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
西泰环保合规声明 RoHS /实现/绿色证书
符合证书-欧盟RoHS声明 RoHS /实现/绿色证书
冲突矿产报告模板 其他质量文件
SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告 可靠性报告

Eval董事会接触SiTime- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)

频率斜率(dF/dT)计算器-计算频率斜率超过温度

时间机器II程序员-程序频率,电压,稳定性等

可靠性的计算器获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据

2016年4-Pins|2520年4-Pins|3225年4-Pins|5032年4-Pins|7050年4-Pins-预览包与QFN 3D步骤模型

狭窄:

资源名称 类型
SIT8920 65MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8920 32 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 33 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 36 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8920 40MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8920 48 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 50 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 54 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 60 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 62.5 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8920 66MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8920 72 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 74.25 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 74.176 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 74.175824 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 75 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 77.76 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 100 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 7.3728 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 8.192 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 8 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8920 9.8304MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8920 9.84375 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 11.0592 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 12.288 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8920 12MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8920 13.52127 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 13.225625 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8920 13MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8920 14.7456 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 14.31818 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 15 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 16.384 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 16兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 18.432 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 19.6608 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 20 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 22.1184 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 24.56 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 24.576 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 24 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 25兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 26 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 27 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 29.4912 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 30 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8920 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SIT8920(LVCMOS,2.8 V) 宜必思模型
SIT8920(LVCMOS,3.0 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.3 V) 宜必思模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.25至3.63 V) 宜必思模型
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