119 to 137 MHz,宽温度振荡器(-55 to +125°C)gydF4y2Ba

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SiT8921B是市场上最强大和可靠的高频振荡器,0.1 ppb/g振动灵敏度(g灵敏度),50,000 g冲击和70 g抗振性,5亿小时MTBF。该设备提供了高频率(高达137 MHz),最佳稳定性(±20 ppm),军用温度(-55°C至125°C)和最小封装(2.0 x 1.6 mm)的完美组合,这是不能从石英。gydF4y2Ba

程序振荡器得到即时样品,优化的性能,和快速原型|gydF4y2Ba了解更多gydF4y2Ba

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所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年gydF4y2Ba
振荡器类型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 119至137兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20±25±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 psgydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba LVCMOSgydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba -55 + 125gydF4y2Ba
FlexEdgegydF4y2BaTMgydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba
供电电压(V)gydF4y2Ba 1.8、2.5至3.3gydF4y2Ba
²包类型(毫米)gydF4y2Ba 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0gydF4y2Ba
特性gydF4y2Ba 现场可编程,军用温度-55至125°CgydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • 高频(119至137兆赫)gydF4y2Ba
  • ±20 ppmgydF4y2Ba
  • 军用温度范围(-55至125°C)gydF4y2Ba
  • 最小包装(2.0 x 1.6 mm x mm)gydF4y2Ba
    • 在空间有限的环境下,具有一流的稳定性和温度范围gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下无性能下降gydF4y2Ba

50000年gydF4y2BaggydF4y2Ba震惊和70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动gydF4y2Ba

  • 不可毁灭的gydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI,减少对其他系统的干扰gydF4y2Ba

超快交货时间(4至6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 石油勘探钻井gydF4y2Ba
  • 功率放大器gydF4y2Ba
  • 工业汽车gydF4y2Ba
  • 压力米gydF4y2Ba
  • 航空航天设备gydF4y2Ba
  • 地热能源设备gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突矿产政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime日期代码担保gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装确认报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装同质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
西泰环保合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
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Eval董事会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

时光机器II程序员gydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性等gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba-预览包与QFN 3D步骤模型gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8921 125 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8921 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
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SiT8921 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8921 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8921 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
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