1 to 110 MHz, Wide Temperature AEC-Q100振荡器(-55 to +125°C)gydF4y2Ba
登录gydF4y2BaSiT8924B是最可靠和最高质量的AEC-Q100兼容振荡器，适用于汽车和极端温度应用。该设备提供了最宽频率范围(1 MHz至110 MHz)，优良的稳定性(低至±20 ppm)和最宽温度范围(-55°C至+125°C)的完美组合，最小的2.0x1.6 mm封装，不容易从石英。它还具有行业内最好的抗冲击和振动性能。gydF4y2Ba
SiT8924有五种行业标准封装，因此可以在没有任何设计更改的情况下取代石英产品。gydF4y2Ba
程序振荡器得到即时样品，优化的性能，和快速原型|gydF4y2Ba了解更多gydF4y2Ba
查看相关产品:gydF4y2Ba115至137兆赫gydF4y2Ba|gydF4y2BaSOT23-5包gydF4y2Ba|gydF4y2Ba加固的gydF4y2Ba|gydF4y2Ba汽车和高温阵容gydF4y2Ba
| 振荡器类型gydF4y2Ba | XO-SEgydF4y2Ba |
| 频率gydF4y2Ba | 1 ~ 110 MHzgydF4y2Ba |
| 频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba | ±20，±25，±30，±50gydF4y2Ba |
| 相位抖动(rms)gydF4y2Ba | 1.3 psgydF4y2Ba |
| 输出类型gydF4y2Ba | LVCMOSgydF4y2Ba |
| 工作温度范围(°C)gydF4y2Ba | -40到+85，-40到+105，-40到+125，-55到+125gydF4y2Ba |
| FlexEdgegydF4y2BaTMgydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba | 是的gydF4y2Ba |
| 供电电压(V)gydF4y2Ba | 1.8、2.5至3.3gydF4y2Ba |
| ²包类型(毫米)gydF4y2Ba | 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0gydF4y2Ba |
| 特性gydF4y2Ba | 现场可编程，高温125°C, AEC-Q100gydF4y2Ba |
| 可用性gydF4y2Ba | 生产gydF4y2Ba |
所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年gydF4y2Ba
SiT8924销作业gydF4y2Ba
SiT8924框图gydF4y2Ba
独一无二的结合gydF4y2Ba
- ±20ppm频率稳定性gydF4y2Ba
- 超过-55到+125°C的汽车和军用温度范围gydF4y2Ba
- 2.0 x 1.6 mm包装:gydF4y2Ba
- 适合汽车和/或空间有限的操作环境的最佳时机裕度gydF4y2Ba
十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba
- 高振动条件下的最佳鲁棒性gydF4y2Ba
70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba
- 在恶劣环境下的最佳系统可靠性gydF4y2Ba
可配置驱动强度和上升/下降时间gydF4y2Ba
- 优化EMI，减少对其他子系统的干扰gydF4y2Ba
5个行业标准包gydF4y2Ba
- 100%滴入式替换石英XOgydF4y2Ba
超快交货时间(4至6周)gydF4y2Ba
- 降低库存成本gydF4y2Ba
- 缓解短缺风险gydF4y2Ba
- 信息娱乐gydF4y2Ba
- ADAS电脑gydF4y2Ba
- 相机gydF4y2Ba
- 雷达和激光雷达gydF4y2Ba
- 汽车以太网gydF4y2Ba
- 动力系统gydF4y2Ba
- 黑盒gydF4y2Ba
- 汽车晶体替代gydF4y2Ba
- 国防与航空航天gydF4y2Ba
- 无线充电器gydF4y2Ba
- SiT8924 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT8924 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
| 文档名称gydF4y2Ba | 类型gydF4y2Ba |
|---|---|
| 4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba | 成分报告gydF4y2Ba |
| 电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime产品的制造说明gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime冲突矿产政策gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime环境政策gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime日期代码担保gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装鉴定报告- UTACgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装确认报告- ASEgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装鉴定报告- CarsemgydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 4L/6L-QFN包装材料及SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| BOSCH Wafer SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| WLCSP包装同质材料和SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 西泰环保合规声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 符合证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 冲突矿产报告模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
Eval董事会gydF4y2Ba（gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba）gydF4y2Ba- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba
频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba
时光机器II程序员gydF4y2Ba-程序频率，电压，稳定性等gydF4y2Ba
可靠性的计算器gydF4y2Ba获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba
2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba-预览包与QFN 3D步骤模型gydF4y2Ba
