1到110 MHz, High Temperature (-40 to +125°C) SOT23 Oscillator

The SiT2018B oscillator comes in a SOT23 package for the best board-level solder joint reliability and low-cost, optical-ONLY董事会级别GydF4y2Bainspection. This device features a wide frequency range,优异的稳定性GydF4y2Ba,以及最短的交货时间GydF4y2Ba工业,医疗,汽车,航空电子产品和其他高温应用GydF4y2Ba。GydF4y2BaThis device also features the industry's best 0.1 ppb/g vibration sensitivity, 50,000 g shock and 70 g vibration resistance.OARD级检查。该器件具有最宽的频率范围,功耗最低,最佳稳定性和消费者,网络,工业等应用的最短交换时间。GydF4y2Ba

For the same device in SMD packages, refer to theSIT8918B.GydF4y2Baoscillator.

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带领SOT23包装,以便最佳板级可靠性,检查和可制造性GydF4y2Ba
Oscillator Type XO-SE.GydF4y2Ba
Frequency 1到110 MHzGydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba ±20,±25,±50GydF4y2Ba
阶段抖动(RMS)GydF4y2Ba 1.3 ps
输出类型GydF4y2Ba LVCMOS
工作温度范围(°C)GydF4y2Ba -40至+105,-40至+125GydF4y2Ba
FlexEdgeTMRise/Fall Time Yes
电压电源(V)GydF4y2Ba 1.8,2.5至3.3GydF4y2Ba
Package Type (mm²) SOT23(2.9x2.8)GydF4y2Ba
Features Field programmable, High temperature 125°C, SOT23-5
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba

汽车温度±20 ppm。(-40至+125°C)GydF4y2Ba

  • 更好的时序边缘适合户外和高温。操作环境GydF4y2Ba

可配置功能集GydF4y2Ba

  • 1 - 110 MHz之间的任何频率,具有6位小数精度GydF4y2Ba
  • 1.8 V or 2.5 V to 3.3 V supply voltage
  • 自定义最佳系统性能规范GydF4y2Ba
  • Use same base device for many design, reducing qualification needs

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Balow g-sensitivity

  • Improved system performance under vibration
  • 载体滴测试顺应性(STB等);GydF4y2Ba

70GGydF4y2Bavibration and 50,000GGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中最好的系统可靠性;GydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5套餐GydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单,低成本,光学,电路板级检查焊点;GydF4y2Ba

超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • Engine & transmission ECUs
  • XTAL替代品GydF4y2Ba
  • ADAS computer
  • Automotive cameras
  • Infotainment
  • Precision GNSS
  • GPS/GNSS modules
  • 电力与能量GydF4y2Ba
  • 铁路GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba Type
5L-SOT23封装组成报告GydF4y2Ba Composition Reports
Electronics Industry Citizen Coalition Template 其他优质文件GydF4y2Ba
Manufacturing Notes for SiTime Oscillators 其他优质文件GydF4y2Ba
环境冲突金属宣言GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
sitEnvironmental Policy 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修(16.72 kB)GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
5L-SOT23封装资格报告 - CAREMGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告 - CAREMGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
环境合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23套装均质材料和SGS报告 - UTACGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba Type
SIT2018 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8.192MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT20188MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.8304MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201811.0592MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201813.52127MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201813.225625MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201814.7456MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 15MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 16.384MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 18.432MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201819.6608MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201820MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201822.1184MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 24.56MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201824.576MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201824MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201826MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 27MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 29.4912MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201833MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201840MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 48MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 50MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201854MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201862.5MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201865MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT201872MHz LVCMOS 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 77.76MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 100MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率特定的测试报告GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS, 3.0 V) Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(2.25 to 3.63 V) Ibis模型GydF4y2Ba
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