MHz振荡器

SiTime提供完整的MEMS MHz振荡器组合。这些设备提供了石英设备所不具备的可配置特性，并设计为更高的可靠性、更短的交货时间，并解决独特的时间问题，如电磁干扰和系统内可编程性。它们可以取代石英振荡器，而无需重新设计或板的布局改变。

类别

差分振子 LVCMOS振荡器 汽车和高温振荡器 扩频振荡器 压控振荡器 I2C / SPI振荡器 数控振荡器
LVPECL / LVDS / HCSL振荡封装6-pin Top Bottom

差分振子

SiTime提供了一个一站式商店的所有差动振荡器的要求，降低到70 fs RMS抖动．这些高性能振荡器是理想的光学模块,网络、服务器、存储和电信应用，并提供低抖动，以及电源噪声(PSNR)免疫力存在常见的环境危害，如冲击、振动、电源等噪音和EMI。

  • 70 fs在工业标准、小尺寸封装中的抖动(典型)小至2x1.6毫米
  • 从1 MHz到725 MHz的任何频率
  • ±10 ppm稳定与优秀的动态性能在变化的环境条件下
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2）
SiT9120 31日标准频率 ±10±2025±±50 LVPECLLVDS 2．53．32.25到3.63 -20 + 70-40 + 85 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT9121 1 ~ 220 MHz ±10±2025±±50 LVPECLLVDS 2．53．32.25到3.63 -20 + 70-40 + 85 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT9122 220 ~ 625 MHz ±10±2025±±50 LVPECLLVDS 2．53．32.25到3.63 -20 + 70-40 + 85 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT9365 32标准频率 ±10±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2．52．83.3．3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT9366 1 ~ 220 MHz ±10±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2．52．83.3．3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT9367 220到725兆赫 ±10±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2．52．83.3．3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT9501 14个标准频率 ±2025±±30±50 LVPECLLVDSHCSL低功耗HCSLFlexSwing 1．82．52．83．31.71到3.632.25到3.63 -20 + 70-40 + 85-40 + 95-40 + 105 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.5
SiT9375 31日标准频率 ±2025±±30±50 LVPECLLVDSHCSL低功耗HCSLFlexSwing 1．82．53．31.71到3.632.25到3.63 -20 + 70-40 + 85-40 + 95-40 + 105 2.0 x 1.62.5 x 2.03.2 x 2.5

关键资源

差分振荡器的输出端
LVCMOS振荡器封装4引脚顶部底部

LVCMOS振荡器

SiTime为消费者、工业、物联网和网络应用提供广泛的LVCMOS振荡器组合。这些设备可以实现更小的尺寸和更低的功耗。此外，它们有各种各样的行业标准包。

  • 1 ~ 220 MHz，精度6位小数
  • 功耗低至60µA
  • 更好的频率稳定性，紧密为±10ppm
  • 行业标准足迹(2016、2520、3225、5032和7050)
  • SOT23-5带铅封装，更高的板级可靠性和可制造性
  • FlexEdge™可配置的上升/下降时间，降低0.25到40 ns的旋转速率，降低EMI
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2）
SiT1602 52标准频率 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.31.8到3.3 -20 + 70-40 + 85 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT2001 1 ~ 110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -20 + 70-40 + 85 SOT23 (2.9 x2.8)
SiT2002 115至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -20 + 70-40 + 85 SOT23 (2.9 x2.8)
SiT8008 1 ~ 110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.31.8到3.3 -20 + 70-40 + 85 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT8009 115至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -20 + 70-40 + 85 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT8208 1 ~ 80 MHz ±10±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -20 + 70-40 + 85 2.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT8209 80 ~ 220 MHz ±10±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -20 + 70-40 + 85 2.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0

关键资源

单端振荡器驱动单或多负载的终止建议 AN10022 SiT8103, SiT8003和SiT9003的升降时间选择
汽车和高温振荡器包4针顶部底部

汽车和高温振荡器

SiTime的汽车(AEC-Q100)和高温振荡器提供±20ppm的频率稳定性，从-55°C到125°C。它们的稳定性是石英的两倍，可靠性是石英的20倍，抗冲击和振动能力是石英的30倍。

  • 1到725 MHz，精度为6位小数
  • 军用(-55至125°C)，汽车(-40至125°C)，扩展工业(-40至105°C)温度
  • 低振动灵敏度(g灵敏度)0.1 ppb/g
  • 5万克冲击，70克抗振动
  • > 1 billion小时平均
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2）
SiT1618 33标准频率 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40 + 105-40 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT2018 1 ~ 110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40 + 105-40 + 125 SOT23 (2.9 x2.8)
SiT2019 115至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40 + 105-40 + 125 SOT23 (2.9 x2.8)
SiT2020 1 ~ 110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -55 + 125 SOT23 (2.9 x2.8)
SiT2021 119至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -55 + 125 SOT23 (2.9 x2.8)
SiT2024 1 ~ 110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40至85(3级)-40至105(二级)-40至125(一级)-55至125(1级外冷) SOT23 (2.9 x2.8)
SiT2025 115至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40至85(3级)-40至105(二级)-40至125(一级)-55至125(1级外冷) SOT23 (2.9 x2.8)
SiT8918 1 ~ 110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40 + 105-40 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT8919 115至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40 + 105-40 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT8920 1 ~ 110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -55 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT8921 119至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -55 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT8924 1 ~ 110 MHz ±2025±±30±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40 + 85-40 + 105-40 + 125-55 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT8925 115至137兆赫 ±2025±±30±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40 + 85-40 + 105-40 + 125-55 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT9386 1 ~ 220 MHz ±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2．52．83．03．3 -40至85(3级)-40至105(二级) 3.2 x2.57.0 x5.0
SiT9387 220到725兆赫 ±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2．52．83．03．3 -40至85(3级)-40至105(二级) 3.2 x2.57.0 x5.0
SiT9025 1 ~ 150 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -40至85(3级)-40至105(二级)-40至125(一级)-55至125(1级外冷) 2.0 x1.6毫米2.5 x2.0毫米3.2 x2.5毫米

关键资源

使用超稳健的MEMS振荡器提高汽车的可靠性和性能 AEC-Q100用于ADAS、摄像头模块和车载以太网的汽车振荡器 AEC-Q100用于ADAS、摄像头模块和车载以太网的汽车振荡器
扩频振荡器封装4引脚顶部底部

扩频振荡器

SiTime的EMI降低振荡器通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整，确保排放合规。它们在SiTime必威体育官网手机登录的Time Machine II程序上得到支持，这使得工程师能够快速降低排放水平，并确保客户通过合规。

  • 基频可降低17分贝，谐波可降低30分贝
  • 广泛的传播范围:高达4% pk- pk
  • FlexEdge™可配置的上升/下降时间选项:0.25 ns到40 ns的反转速率
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2）
SiT9002 1 ~ 220 MHz 25±±50 LVPECLLVDSCMLHCML 1．82．53．3 -20 + 70-40 + 85 5.0 x3.27.0 x5.0
SiT9003 1 ~ 110 MHz ±50±100 LVCMOS 1．82．52．83．3 -20 + 70-40 + 85 2.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT9005 1 ~ 141兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1．82.5到3.3 -20 + 70-40 + 85 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.5

关键资源

扩频时钟振荡器 AN10022 SiT8103, SiT8003和SiT9003的升降时间选择
电压控制振荡器封装4引脚顶部底部

压控振荡器

SiTime MEMS vcxo为视频分发(CMTS)、网络、电信和仪表应用提供卓越的动态性能和最高的可靠性。这些设备被设计成在常见的环境危害(如冲击、振动、噪声电源和EMI)存在的情况下保持相同的相位噪声和频率调谐精度。它们使电缆头和远程无线电头(RRH)等设备能够在不受控制的环境(如没有空调的地下室或屋顶)中提供最高性能、最佳可靠性和最高质量的服务。

  • 在1hz步长中从1mhz到725mhz的任何频率
  • ±15ppm，在整个温度范围内(-40至+85°C)最佳动态稳定性
  • 电源降噪(PSNR) 0.02 ps/mV，降低电源要求
  • 最佳(0.1%)和最宽(±25至±3200ppm)拉距线性度，比石英好50倍
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2）
SiT3372 1 ~ 220 MHz ±1525±±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2．52．83．03．3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 3.2 x2.57.0 x5.05.0 x3.2
SiT3373 220到725兆赫 ±1525±±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2．52．83．03．3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 3.2 x2.57.0 x5.05.0 x3.2
SiT3807 31日频率 25±±50 LVCMOS 1．82．52．83．3 -20 + 70-40 + 85 2.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT3808 1 ~ 80 MHz 25±±50 LVCMOS 1．82．52．83．3 -20 + 70-40 + 85 2.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT3809 80 ~ 220 MHz 25±±50 LVCMOS 1．82．52．83．3 -20 + 70-40 + 85 2.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0

关键资源

VCXO规格定义 锁相环设计中的VCXO参数权衡
I2C/SPI振荡器11引脚封装

I2C / SPI振荡器

SiTime的Elite Platform™I2C/SPI振荡器使用户能够使用数字接口在系统内编程输出频率和拉频，为设计人员提供了极大的灵活性。该系列产品提供超低抖动，并利用SiTime独特的DualMEMS™温度传感和TurboCompensation™技术，提供卓越的动态性能。

  • 适合替换电信、网络、服务器、存储、广播、测试和测量设备等支持多个频率的系统中的多个定时组件必威体育官网手机登录
  • 任意频率模式编程输出频率通过I2C或SPI从1 MHz到725 MHz
  • 数字控制振荡器(DCO)模式的拉/调谐频率高达±3200ppm通过I2C或SPI与0.005 ppb分辨率
  • 任意频率(1 MHz到725 MHz)，电压(2.5 V到3.3 V)，拉量程(±25 ppm到±3200 ppm)和三种DE输出格式(LVPECL, LVDS，或HCSL)的组合
  • 典型的集成相位抖动
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2）
SiT3521 1 ~ 340 MHz ±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5到3.3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 5.0 x 3.2 10针
SiT3522 340至725兆赫 ±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5到3.3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 5.0 x 3.2 10针

关键资源

AN10050 I2C/SPI可编程振荡器
数字控制振荡器VCXO封装6引脚顶部底部

数控振荡器

SiTime数字控制MEMS振荡器(dcos)使用户可以通过单线数字接口将输出频率调高至±150ppm。这消除了传统VCXO设计中使用的外部DAC的需要。它还消除了电压控制线上的板噪声引起的频移。

  • 宽拉量程选择，可达±150000 ppm
  • 调优分辨率为1ppb
  • 超低功耗，占地面积小(SiT3901)
  • 广泛的频率范围(高达625 MHz)，供电电压(1.8 V;2.5 V到3.3 V)，和工业标准封装(1508,3225,5032，或7050)
  • LVCMOS输出(SiT3907和SiT3901)和差分输出(SiT3921和SiT3922)
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2）
SiT3907 1 ~ 220 MHz ±1025±±50 LVCMOS 1．82．52．83．3 -20 + 70-40 + 85 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT3921 1 ~ 220 MHz ±1025±±50 LVPECLLVDS 2．53．3 -20 + 70-40 + 85 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT3922 220 ~ 625 MHz ±1025±±50 LVPECLLVDS 2．53．3 -20 + 70-40 + 85 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT3901 1 ~ 26 MHz ±50±100 LVCMOS 1．82.5到3.3 -20 + 70-40 + 85 1.5 x0.8

关键资源

使用SiT39xx系列dcos(数字控制振荡器)进行设计

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