sit1618ba 8.000000 - 21 - 33gydF4y2Ba

sit1618ba 8.000000 - 21 - 33gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
8兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
20gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba
-40至125gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
包装尺寸(毫米×毫米)gydF4y2Ba
3.2 x2.5gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
0.75gydF4y2Ba
输出驱动强度*gydF4y2Ba
违约gydF4y2Ba
特征引脚gydF4y2Ba
备用gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出电压或交流摆幅gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详细信息请参见数据表gydF4y2Ba

立即购买gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba
D=3000克拉gydF4y2Ba
E=1000gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba

±20ppm超过汽车温度。(-40至125°C)gydF4y2Ba

  • 更好的时间裕度,适合户外和高温操作环境gydF4y2Ba

可配置的特性集gydF4y2Ba

  • 33个在7.3728 MHz和48 MHz之间的标准频率gydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V供电电压:gydF4y2Ba
  • 为优化系统性能定制规格gydF4y2Ba
  • 对许多设计使用相同的基础设备,以减少鉴定需求gydF4y2Ba

0.1 ppb/g低g灵敏度gydF4y2Ba

  • 改善系统在振动下的性能gydF4y2Ba
  • 载波跌落测试符合性(机顶盒等)gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性gydF4y2Ba
  • 更少的产品失败gydF4y2Ba

FlexEdge™ 驱动力gydF4y2Ba

  • 较慢的上升/下降时间,将振荡器的EMI降至最低gydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载降低成本,并消除额外的定时组件gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%替换石英晶体振荡器gydF4y2Ba

超快交货时间(4至6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速箱ECUgydF4y2Ba
  • 外耳道置换术gydF4y2Ba
  • ADAS计算机gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN包组成报告(SiT160X、SiT800X、SiT1618、SiT89XX)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突矿产政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime日期代码担保gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装确认报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔楼爵士乐威发SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世威发SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装同质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiT16XX、SiT89XX高温产品鉴定报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba–SiT6095(2016)| SiT6081(2520)| SiT6082(3225)| SiT6083(5032)| SiT6084(7050)gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba–获取各种运行条件下的拟合/平均无故障时间数据gydF4y2Ba

时间机器II编程器gydF4y2Ba–编程频率、电压、稳定性等gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050个4针gydF4y2Ba- QFN预览包gydF4y2Ba三维台阶模型gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT1618 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 13.225625MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 13MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 15MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 19.6608MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 22.1184MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 24MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 26MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 30MHz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT1618 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何在精密定时应用中测量时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何使用SiTime的新现场编程器获得瞬时振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
用高温、超鲁棒MEMS振荡器提高工业设备的性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供优势gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器正在取代石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT1618数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
Time Machine II MEMS振荡器程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002驱动单负载或多负载的单端振荡器终端建议gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器の印刷电路板デザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时间発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的冲击与振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器代替晶体谐振器的前8个原因gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点-MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测试技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
ITU-T标准中的AN10052 IEEE 1588精密时间协议(PTP)gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk Jitter CompliancegydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS时序参数的优点gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器——时间市场的革命gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 3225 4针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
SiTime MEMS计时解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba 小册子/传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时方案(A4)gydF4y2Ba 小册子/传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时方案(A4)中文gydF4y2Ba 小册子/传单gydF4y2Ba
硅取代石英(日文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器来测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用的TIE峰值因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算非电信应用的连接波峰系数gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检验确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从有效值抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
工厂自动化gydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba