sit2020bm - s1 - 33 - s - 32.000000gydF4y2Ba

数据表gydF4y2Ba
含铅SOT23封装，具有最好的板级可靠性，检验和可制造性gydF4y2Ba

sit2020bm - s1 - 33 - s - 32.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
32兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
20.gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba
-55年到125年gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30.gydF4y2Ba
封装尺寸（mm x mm）gydF4y2Ba
SOT23 (2.9 x2.8)gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
1.45gydF4y2Ba
输出驱动强度*gydF4y2Ba
默认gydF4y2Ba
特征PIN.gydF4y2Ba
备用gydF4y2Ba
拉范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出Vol或AC SwinggydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详情见数据表gydF4y2Ba

立即购买gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba
  • 含铅SOT23封装，具有最好的板级可靠性，检验和可制造性gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    含铅SOT23封装，具有最好的板级可靠性，检验和可制造性gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20 ppm.gydF4y2Ba
  • -55°C至125°C工作温度范围gydF4y2Ba
  • 小SOT23-5包:gydF4y2Ba
    • 在室外应用的极端温度范围内最佳级别稳定性;gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下没有性能下降;gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 不可毁灭的;gydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰;gydF4y2Ba

SOT23-5套餐gydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性gydF4y2Ba
  • 简单，低成本，光学，焊接接头的板级检查;gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 石油勘探钻探gydF4y2Ba
  • 功率放大器gydF4y2Ba
  • 工业汽车gydF4y2Ba
  • 压力米gydF4y2Ba
  • 航空航天设备gydF4y2Ba
  • 雷达gydF4y2Ba
  • 航道gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5L-SOT23封装组成报告gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子产业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品制造笔记gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime对日期代码的保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001：2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5L-SOT23包装合格报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SIT16XX，SIT89XX高温产品资格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23软件包UTAC可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告 - CAREMgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
合格证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23套装均质材料和SGS报告 - UTACgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba（gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba）gydF4y2Ba- SiT6097 (2928 SOT23-5)gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba- 程序频率，电压，稳定性和更多gydF4y2Ba

频率斜率（DF / DT）计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据gydF4y2Ba

说23日5针gydF4y2Ba三维步模型gydF4y2Ba- 预览3D中的振荡器包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2020 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 8MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 13.225625MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 14.31818MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 16兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 24.56MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 24.576MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 25MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 27MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 32MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 36MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 50MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 66 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2020 75MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 2.25 to 3.63 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SIT2020（LVCMOS，3.3 V）gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何使用Sentime的新现场编程器获得即时振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS与石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改善触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超鲁棒的MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了电机控制应用中的可靠性和系统性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
get In Touch with MEMS: The机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT2020B数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器的终止建议，驱动单个或多个负载gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006仪器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
距离浮气器函数计算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个理由gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量长期抖动和周期到周期抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
AN10052 IEEE 1588 ITU-T标准的精密时间协议（PTP）gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动顺应性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS定时参数的优点gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革新时机市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
Sentime的时间机器II - 第1部分：如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何对现场可编程振荡器进行编程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
说23日5针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案（8.5x11）gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SiTime MEMS时序解决方案(A4)gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SiTime MEMS Timing Solutions (A4)中文gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
工业时序解决方案gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
硅取代石英(日文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检测确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从RMS抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba

订阅新闻和更新gydF4y2Ba