sit2024bm - s2 - 33 - n - 8.192000GydF4y2Ba

sit2024bm - s2 - 33 - n - 8.192000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
8.192兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性(ppm)GydF4y2Ba
25GydF4y2Ba
工作温度。范围(°C)GydF4y2Ba
-55年到125年GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
LVCMOSGydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
包装尺寸(mm x mm)GydF4y2Ba
SOT23 (2.9 x2.8)GydF4y2Ba
包高度(毫米)GydF4y2Ba
1.45GydF4y2Ba
输出驱动力量*GydF4y2Ba
默认的GydF4y2Ba
功能销GydF4y2Ba
没有连接GydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
传播百分比GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
直流耦合输出电压或交流摆动GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
直流耦合输出VOHGydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
RoHSGydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*详见数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷盘选项GydF4y2Ba
D = 3000 ctGydF4y2Ba
E = 1000GydF4y2Ba
G = 250 ctGydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • ±20 ppmGydF4y2Ba
  • -55至125°C温度范围GydF4y2Ba
  • SOT23-5软件包:GydF4y2Ba
    • 在极端温度范围内具有一流的稳定性,是汽车和高相对湿度应用的理想选择GydF4y2Ba

0.1 ppb/GydF4y2BaGGydF4y2Ba低GydF4y2BaGGydF4y2Ba灵敏GydF4y2Ba

  • 在恶劣环境中不会降低性能GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和10000GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 不可毁灭的GydF4y2Ba

可配置的上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI,减少对其他子系统的干扰GydF4y2Ba

SOT23-5包GydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单、低成本、仅光学、板级焊点检查GydF4y2Ba

超快交付周期(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存管理费用GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba
  • 发动机和变速器ecuGydF4y2Ba
  • 晶体替代GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 发动机与动力系统GydF4y2Ba
  • 国防与航空航天GydF4y2Ba

缩小范围:GydF4y2Ba

文件名GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23包装成分报告GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime保修日期代码GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
冲突矿产报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
5L-SOT23包装鉴定报告-CarsemGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23机组UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS/Reach/绿色证书GydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS/Reach/绿色证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- CarsemGydF4y2Ba RoHS/Reach/绿色证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS/Reach/绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP包装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS/Reach/绿色证书GydF4y2Ba
西泰环保合规声明GydF4y2Ba RoHS/Reach/绿色证书GydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明的证书GydF4y2Ba RoHS/Reach/绿色证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- UTACGydF4y2Ba RoHS/Reach/绿色证书GydF4y2Ba

评估板GydF4y2Ba(GydF4y2Ba接触时间GydF4y2Ba)GydF4y2Ba- SiT6097 (2928 SOT23-5)GydF4y2Ba

时光机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性等GydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

可靠性的计算器GydF4y2Ba获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据GydF4y2Ba

sot 23 5-pinsGydF4y2Ba三维步模型GydF4y2Ba-在3D预览振荡器包GydF4y2Ba

缩小范围:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT2024 7.3728 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 8.192MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 8 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 9.8304 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 9.84375MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 11.0592MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 12.288MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 12 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 13.52127MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 13MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 14.31818 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 15 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 16.384 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 16兆赫LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 18.432 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 19.6608 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 20MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 22.1184 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 24.56 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 24.576MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 24 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 25兆赫LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 26MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 27 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 29.4912 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 30 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 32MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 33 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 36 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 40MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 48 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SIT2024 50MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 54MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 60 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 62.5 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 65MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 66 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 72MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 74.25 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 74.176 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 74.175824MHz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 75 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 77.76 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024 100 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告GydF4y2Ba
SiT2024(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.5 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.8 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 3.0 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 3.3 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.25至3.63 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
在精确定时应用中如何测量时钟抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
使用超稳健的MEMS振荡器提高汽车的可靠性和性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
mems谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
Field Programmable振荡器DatasheetGydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SIT2024B Datasheet.GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
Time Machine II MEMS振荡器程序员GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
单端振荡器驱动单或多负载的终止建议GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
检测振荡器输出GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英基振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
微机电系统発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS和石英基振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインGydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
时间の MEMS优先™ プロセス技術GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
我是第一个™ 和书信体™ 过程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性与测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
IEEE 1588 ITU-T标准中的PTP (Precision Time Protocol)GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动符合性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS时序参数的优点GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-彻底改变计时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime时间机器II.第2部分:如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
sot 23 5-pinsGydF4y2Ba 三维台阶模型GydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
汽车系统时序解决方案GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(8.5x11)GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SiTime MEMS定时方案(A4)GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SiTime MEMS定时方案(A4)中文GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
硅替换石英(日本字幕)GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
AN10071计算电信应用的连接波峰系数GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
计算非电信应用的TIE峰值因子GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
通过检验确定相位噪声的主要来源GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba
从有效值抖动测量中去除示波器噪声GydF4y2Ba 申请须知GydF4y2Ba