sit8008bcf12 xxe - 8.000000

sit8008bcf12 xxe - 8.000000

设备类型 LVCMOS振荡器
频率
8 MHz.
频率稳定度(ppm)
25±
操作温度。范围(°C)
-20年到70年
输出类型
LVCMOS
电源电压(V)
2.25 - -3.63
封装尺寸(mm x mm)
2.5 x2.0
包高度(毫米)
0.75
输出驱动强度*
默认
特征PIN.
输出使能
RoHS
是的

*有关详细信息,请参阅数据表

立即购买

磁带和卷轴选项
d = 3,000 ct
e = 1,000
G = 250 ct

可配置的特性集

  • 任何频率在1到110 MHz之间,具有6个小数精度
  • 稳定性从±20ppm到±50ppm
  • 工业或扩展商业温度。
  • 1.8 V, 2.5 V到3.3 V, 1.8 V到3.3 V供电电压
  • 自定义最佳系统性能规范
  • 使用相同的基础设备进行许多设计,降低资格需求;

小型2016和2520封装,适用于所有频率、电压和稳定性

  • 节省更多的板空间,而不影响性能和可用性

低功耗

  • 1.2μA典型的备用电流(1.8 V)
  • 3.6 mA典型有效电流(1.8 V)
  • 扩展便携式应用中的电池寿命
  • 减少绿色系统的电力消耗;

FlexEdge™可配置的驱动强度

  • 从振荡器最小化EMI的速度升高/下降时间
  • 通过驱动多个负载和消除额外的时间组件来节省成本;

超快交货时间(4至6周)

  • 减少库存开销
  • 缓解短缺风险

  • 以太网
  • firewire.
  • USB
  • 音频视频
  • SATA / SAS
  • 光纤通道
  • 固态硬盘(SSD)
  • 存储、服务器和数据中心
  • 计算机服务器
  • 处理器时钟
  • FPGA时钟
  • 组网交换机和网关
  • 闭路电视及监控设备
  • 工业探针和设备
  • 医疗设备
  • 串行数据链接
  • 光纤,电缆,DSL
  • CPE和家庭网关
  • 安全设备
  • 数据中心
  • 工厂自动化
  • 安全与监测
  • 医疗电子设备
  • 电力与能量
  • 测试和测量
  • 零售电子产品
  • 长途通讯
  • 室内定位
  • 无线充电
  • 消费电子产品
  • 家庭娱乐
  • 虚拟现实和基于“增大化现实”技术
  • 个人电脑
  • 家庭自动化
  • 音频视频
  • 家用电器

狭窄:

文档名称 类型
4L-QFN包组合报告(SIT160x,SIT800x,SIT1618,SIT89xx) 成分报告
电子工业公民联盟模板 其他质量文件
SiTime产品的制造说明 其他质量文件
SiTime冲突矿产政策 其他质量文件
SiTime环境政策 其他质量文件
SiTime日期代码担保 其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品) 可靠性报告
4L-QFN包装鉴定报告- UTAC 可靠性报告
4L-QFN包装确认报告- ASE 可靠性报告
SIT1602产品资格报告 可靠性报告
4L-QFN包装鉴定报告- Carsem 可靠性报告
TSMC晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
塔爵士晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4L/6L-QFN包装材料及SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
博世晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
WLCSP包装同质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
环境合规声明 RoHS /实现/绿色证书
符合证书-欧盟RoHS声明 RoHS /实现/绿色证书
冲突矿产报告模板 其他质量文件

Eval董事会接触SiTime- - - - - -SIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)

时间机器II程序员- - - - - -程序频率,电压,稳定性等

可靠性的计算器- - - - - -获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据

2016年4-Pins|2520年4-Pins|3225年4-Pins|5032年4-Pins|7050 4针-使用QFN3D步骤模型

狭窄:

资源名称 类型
SiT8008 4.096 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 4 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 6 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 7.3728 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 8.192 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 10 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 14 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 18.432 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 19.2 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8008 24.576MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8008 24 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 25.000625 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 25兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 26 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 27 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 28.6363 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 30 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 31.25 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8008 32.768MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8008 33.3 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8008 33.33MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8008 33.333 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 33.3333 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 33.33333 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8008 33MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8008 37.5 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8008 38.4MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8008 38 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 40.5 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 40 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8008 48MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8008 50 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 54 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 60 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 62.5 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8008 65MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SIT8008 66.6MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8008 66.66 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 66.666 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 66.6666 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 66.66666 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SIT8008 72MHz LVCMOS. 频率测试报告。
SiT8008 74.25 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 74.176 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 74.175824 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 77.76 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 100 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 (LVCMOS, 1.8 V) Ibis模型
SiT8008 (LVCMOS, 2.8 V) Ibis模型
SiT8008 (LVCMOS, 3.0 V) Ibis模型
SiT8008 (LVCMOS, 3.3 V) Ibis模型
SIT1602(LVCMOS,2.5至3.3 V连续) Ibis模型
硅MEMS可靠性和弹性 演讲
性能比较:硅MEMS与石英振荡器 演讲
用低功耗MEMS振荡器优化系统性能 演讲
如何测量精密定时应用中的时钟抖动 演讲
如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用 演讲
如何使用Sentime的新现场编程器获得即时振荡器 演讲
硅MEMS vs石英供应链 演讲
电源意识和绿色应用的时钟功能 白皮书
硅MEMS振荡器为LED照明提供优势 白皮书
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备 白皮书
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案 白皮书
MEMS计时技术:打破石英计时的限制,改进智能移动设备 白皮书
超鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性 白皮书
MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能 白皮书
基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英 演讲
接触MEMS:机电接口 演讲
现场可编程振荡器数据表 数据表
SiT8008数据表 数据表
Time Machine II MEMS振荡器程序员 产品简介
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法 申请笔记
AN10002用于单端振荡器的终止建议,驱动单个或多个负载 申请笔记
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドライン 申请笔记
最佳设计和布局实践 申请笔记
时钟抖动的定义和测量方法 申请笔记
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法 申请笔记
SiTime発振器の信頼性計算方法 技术论文
SiTime振荡器的可靠性计算 申请笔记
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法 申请笔记
AN10028探测振荡器输出 申请笔记
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較 技术论文
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较 技术论文
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動) 技术论文
MEMS与石英振荡器的冲击与振动比较 技术论文
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドライン 申请笔记
振荡器频率测量指南 申请笔记
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性 技术论文
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性 技术论文
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術 技术论文
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺 技术论文
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个理由 白皮书
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网 演讲
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用 演讲
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术 演讲
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法 申请笔记
SC-AN10033振荡频率销量江南 申请笔记
通信和企业的时序解决方案 小册子/飞行员
AN10062振荡器相位噪声测量指南 申请笔记
相位噪声测量教程 视频
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk Jitter Compliance 演讲
MEMS时序参数的优点 视频
SiTime MEMS振荡器——时间市场的革命 视频
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件 视频
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器 视频
培训模块:用振荡器替换晶体 视频
QFN 2016 4-Pins 3 d步模型
QFN 2520 4-Pins 3 d步模型
qfn 3225 4-pins 3 d步模型
QFN 5032 4-Pins 3 d步模型
QFN 7050 4-Pins 3 d步模型
工业时序解决方案 小册子/飞行员
服务器的SiTime MEMS定时解决方案 视频
SiTime MEMS第一工艺 技术论文
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动 申请笔记
计算电信应用的TIE峰值因子 申请笔记
AN10070计算领带的非电信应用领带因素 申请笔记
通过检验确定相位噪声的主要来源 申请笔记
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声 申请笔记