sit8009bc - 71 - 18 - e - 125.000000

sit8009bc - 71 - 18 - e - 125.000000

设备类型 LVCMOS振荡器
频率
125兆赫
频率稳定度(ppm)
20.
工作温度范围(°C)
-20年到70年
输出类型
LVCMOS
电源电压(V)
1.80
包装尺寸(毫米x毫米)
2.0 x1.6
包高度(毫米)
0.75
输出驱动力量*
默认的
功能销
允许输出
拉力范围(PPM PR)
N/A
传播比例
N/A
摇摆不定的选择
N/A
直流耦合输出VOL或交流摆动
N/A
DC-Coupled输出VOH
N/A
RoHS
是的

*详细信息请参见数据表

立即购买

磁带和卷轴选项
D = 3000ct
E = 1000
G = 250 ct

可配置的特性集

  • 任何频率在115至137兆赫与6位小数精度
  • 稳定性从±20ppm到±50ppm
  • 工业或延长的商业温度。
  • 1.8 V和2.5 V到3.3 V的电源电压
  • 为优化系统性能定制规格
  • 多种设计使用相同的基础装置,减少鉴定需求

任何高频振荡器的最低功耗

  • 5.5 mA典型有功电流(1.8 V)
  • 典型的待机电流(1.8 V):
  • 延长电池的寿命
  • 使环保电子产品;

小2016和2520包所有频率,电压和稳定性

  • 在不影响性能和可用性的前提下,节省更多的板空间

FlexEdge™可配置的驱动强度

  • 较慢的上升/下降时间,最大限度地减少来自振荡器的电磁干扰
  • 通过驱动多个负载节省成本,并消除额外的定时组件;

超快交货时间(4 - 6周)

  • 降低库存成本
  • 缓解短缺风险

  • GPON
  • 环氧树脂
  • 以太网
  • SATA / SAS
  • 存储服务器和SSD
  • 一种总线标准
  • 作为PCIe
  • DDR
  • CPE和家庭网关
  • 安全设备
  • 数据中心
  • 工厂自动化
  • 安全与监测
  • 电力和能源
  • 测试和测量
  • 零售电子产品
  • 无线充电
  • 消费电子产品
  • 家庭娱乐
  • 虚拟现实和基于“增大化现实”技术

狭窄:

文档名称 类型
4L-QFN包组成报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX) 成分报告
电子工业公民联盟模板 其他质量文件
SiTime产品制造说明 其他质量文件
SiTime冲突金属声明 其他质量文件
SiTime环境政策 其他质量文件
SiTime保修日期代码 其他质量文件
冲突矿物报告模板 其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品) 可靠性报告
4L-QFN包装资格报告- UTAC 可靠性报告
4L-QFN包装鉴定报告- ASE 可靠性报告
SiT1602产品鉴定报告 可靠性报告
4L-QFN包装认证报告- Carsem 可靠性报告
台积电晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
爵士晶圆塔SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4L/6L-QFN包装均质材料及SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
BOSCH Wafer SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
WLCSP包装均匀材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
SiTime环保声明 RoHS /实现/绿色证书
符合证书-欧盟RoHS声明 RoHS /实现/绿色证书

Eval董事会接触SiTime- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)

时间机器II编程器-程序频率,电压,稳定性等

可靠性的计算器-获取各种操作条件下的FIT/MTBF数据

2016年4-Pins|2520年4-Pins|3225年4-Pins|5032年4-Pins|7050年4-Pins-预览包与QFN 3D步骤模型

狭窄:

资源名称 类型
SiT8009 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8009 (LVCMOS, 2.5 V) 宜必思模型
SiT8009 (LVCMOS, 2.8 V) 宜必思模型
SiT8009 (LVCMOS, 3.0 V) 宜必思模型
SiT8009 (LVCMOS, 3.3 V) 宜必思模型
SiT8009 (LVCMOS, 2.5至3.3 V连续) 宜必思模型
硅MEMS的可靠性和弹性 演讲
性能比较:硅MEMS与石英振荡器 演讲
利用低功耗MEMS振荡器优化系统性能 演讲
如何在精确定时应用中测量时钟抖动 演讲
在精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声 演讲
如何获得即时振荡器与SiTime的新领域编程器 演讲
硅MEMS与石英供应链 演讲
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处 白皮书
MEMS定时解决方案改善触摸屏设备 白皮书
现场可编程定时解决方案的医疗应用 白皮书
超鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用中的性能和可靠性 白皮书
MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能 白皮书
mems谐振器和振荡器正在取代石英 演讲
接触MEMS:机电接口 演讲
Field Programmable Oscillators Datasheet 数据表
SiT8009数据表 数据表
时间机器II MEMS振荡器编程器 产品简介
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法 应用笔记
AN10002单端振荡器驱动单个或多个负载的终止建议 应用笔记
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドライン 应用笔记
AN10006最佳设计和布局实践 应用笔记
时钟抖动的定义和测量方法 应用笔记
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法 应用笔记
SiTime発振器の信頼性計算方法 技术论文
SiTime振荡器的可靠性计算 应用笔记
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法 应用笔记
探头振荡器输出 应用笔记
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較 技术论文
MEMS与石英振荡器的磁化率比较 技术论文
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動) 技术论文
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较 技术论文
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドライン 应用笔记
振荡器的频率测量指南 应用笔记
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性 技术论文
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性 技术论文
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術 技术论文
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺 技术论文
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因 白皮书
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第二部分betway开户官网 演讲
如何测量长期抖动和周期到周期抖动在精密定时应用 演讲
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术 演讲
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法 应用笔记
SC-AN10033振荡器频率测量指南 应用笔记
通信与企业定时解决方案 小册子和传单
相位噪声测量教程 视频
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动合规 演讲
MEMS定时参数的优点 视频
SiTime MEMS振荡器-彻底改变时机市场 视频
SiTime的时间机器II -第一部分:如何安装振荡器编程软件 视频
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器 视频
培训模块:用振荡器替换晶体 视频
QFN 2016 4-Pins 3 d步模型
QFN 2520 4-Pins 3 d步模型
QFN 3225 4-Pins 3 d步模型
QFN 5032 4-Pins 3 d步模型
QFN 7050 4-Pins 3 d步模型
工业定时解决方案 小册子和传单
SiTime MEMS第一工艺 技术论文
如何设置一个实时示波器来测量抖动 应用笔记
电信应用中计算TIE峰值因子 应用笔记
计算TIE峰因子,用于非电信应用 应用笔记
通过检查确定相位噪声的主要来源 应用笔记
消除RMS抖动测量中的示波器噪声 应用笔记