sit8918be - 13 - 33 - 27.000000gydF4y2Ba

数据表gydF4y2Ba
所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年gydF4y2Ba

sit8918be - 13 - 33 - 27.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
27 MHzgydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
50gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba
-40年到105年gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3．30gydF4y2Ba
包装尺寸(mm x mm)gydF4y2Ba
2.5 x2.0gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
０．７５gydF4y2Ba
输出驱动力量*gydF4y2Ba
默认的gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
备用gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出电压或交流摆动gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详细信息请参见数据表gydF4y2Ba

立即购买gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba
  • 所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年gydF4y2Ba

  • SiT8918销作业gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    SiT8918销作业gydF4y2Ba

  • SiT8918框图gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    SiT8918框图gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20 ppmgydF4y2Ba
  • 汽车温度。(-40至125°C)gydF4y2Ba
  • 最小封装(2.0 x 1.6 mmxmm):gydF4y2Ba
    • 更好的时间裕度，适合空间有限，户外和高温。操作环境gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低振动的敏感性gydF4y2Ba

  • 改善系统在振动下的性能gydF4y2Ba
  • 更简单的载波跌落测试符合性(STB等)gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性gydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力量gydF4y2Ba

  • 更慢的上升/下降时间，最大限度地减少来自振荡器的电磁干扰gydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载和消除额外的时间组件降低成本gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%滴入式替换石英XOgydF4y2Ba

超快交货时间(4至6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 精密GNSSgydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块gydF4y2Ba
  • 电力和能源gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突矿产政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime日期代码担保gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装确认报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装材料及SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装同质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
西泰环保合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba

Eval董事会gydF4y2Ba（gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba）gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaSiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

时光机器II程序员gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba程序频率，电压，稳定性等gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba-预览包与QFN 3D步骤模型gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8918 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 14.31818 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 16兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 24.56 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 65 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 66 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 75 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 2.25至3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
在精确定时应用中如何测量时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新领域程序员gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
用高温、超鲁棒MEMS振荡器提高工业设备的性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供优势gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
mems谐振器和振荡器正在取代石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
Field Programmable振荡器DatasheetgydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT8918数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
Time Machine II MEMS振荡器程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
单端振荡器驱动单或多负载的终止建议gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
检测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的冲击与振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性与测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk Jitter CompliancegydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS时序参数的优点gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器——时间市场的革命gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 3225 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
工业时序解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用的TIE峰值因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算非电信应用的TIE峰值因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检验确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从有效值抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
工厂自动化gydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba
工业机器人gydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba

订阅新闻和更新gydF4y2Ba